Датчик давления
Иллюстрации
Реферат
!
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ЗОБ83
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
МПК б О1/ 9/12
Заявлено 04.Х11.1969 (X 1382534/18-10) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 21.1V.1971. Бюллетень № 14
Дата опубликования описания 31 V.1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 531.787.91(088.8) Авторы изобретения
И. И. Кривоносов, Н, А. Маркова, Г. Е. Заиков и А. А. Берлин
Институт химической физики АН СССР
Заявитель
ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ
Изобретение относится к контрольно-измерительной техничке.
Извес пны датчики,давленый, содержащие кор пус, чувствительный элемент, штох и электромеханический преобразователь с тензорезисторами, B :êà÷eñòâå тензорезисторов используются проволочные или неорганические полу проводниковые тензорези сгивные датчики.
Основным недостатком .проволочных тензорезисти вных датчиков является их низкая тензочувствителыность. Полупроводниковые неорганические тензорезистив|ные датчики обладают,по сравнению с проволочным и повышенной тензочу вствительностью, однако они в то же время обладают и значительно более высоКоН термозависи мостью, что снижает точность измерений IH часто, приводит к невозможности их использования в контрольно-измерительной техничке.
Кроме того, труд ность получения и подбора образцов тензодагчиков с одинаковыми значениями .начальных сопротивлений и тензочувствителыностей не |позволяет си нтезировать высокоточные электрические измерительные 25 цепи.
Целью изобретения является увеличение чувствителыности и у ровня выходного сигнала, расширение электрических и температурных свойств применяемых материалов, 30
Эта цель достигается тем, что тензорезисторы BbIIIIQJIHeHbl на основе органических полупроводников, а именно комплексных ибн-ради калыных солей тетрацианхинондимета на с различными алкил- и аралкилзамещенньоми бисчетвертичными катионами фенангроли ния и дихинол и ния, причем эти coJIIH содержат в качесгве нейтральной молекулы молекулу иода.
На фиг. 1 показа на схема, предлагаемого датчи|ка с органическими тензорезисторами.
Датчик состоит из корпуса 1, с которым жестко связан чувсгвительный элемент (мембрана) 2. Подвижный центр чувств1ительного элемента — шток 3 связан с электромеханическим преобразователем 4 .в виде тензаметрической пружины с на клеенными на нее тензорезисторами 5.
Образцы тензорезисторов могут быть получены путем прессования органического полупроводникового матер нала. Электрические контакты могут быть впрессованы в тензочувствнтельный элемент или осуществлены с помощью токопроводящего клея.
Работа датчика заключается в преобразовании давления P в электрический,сипнал тензометрического моста.
Чувствительность и уровень выход ного сигнала датчика ап ределяются в основном чувствительностью тензорезисторов.
301583 — ro
<а.l
Щг.1 иг 2
Составитель Г. Н. Невская
Техред Л. Л. Евдонов
Корректор В. И. Жолудева
Редактор С. И. Хейфиц
Заказ !361/7 Изд. 569 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров i CCP
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, . р. Сапуноьа, 2
На фиг. 2 приведены экспериментально снятые графики зависимостей относительного изменения сопротивления ЛЛ/Ро от относительной дефор мации в для ряда образцов: 1 — простая HolH-,радикальная соль тетра ц ианхинондиметана с 1,1-диэтил-б,б-дихи нолинием; II— комплексная ион-радикальная соль на основе
1,10-диэтил-о-фена нтролвния; III — комплексная соль на основе 1,1-диэтил-б,б-дихинолиния с нейтральной молекулой тетрациа|нхинондиаметана.
Обработка экспериментальных данных показала, что коэ ффициент тензочув ствителыности исследованных образцов находится в пределах
150 — 300, что превышает этот коэффициент для неорганических полупpolBQQHIHIKQB.
В то же время измерительные характеристи ки от температуры зависят слабее, чем у германиевых и кремниевых тензодатчиков.
Достоинством лредложенного датчика является простота получения тензорезисторов с заранее зада нныMIH значен|иями,начальных соцротивлений и тензометричвоких и температурных характеристик, повышение питающего на|пряжения и увеличение предельных изме.ряемых деформаций пр и изготовлении тензорезисторов в виде пленок, а также возможность изготовления датчиков зада нных фо рм и размеров.
Предмет изобретения
1. Датчик да вления, содержащий размещен1ный в корпусе чувствителыный элемент, под вижной центр которого штоком связан с элек10 тромеханическим преобразователем, BBIIIIoë íåí ° ным в виде плоской пружины с наклеенными на нее полупроводни1ковыми тензорезисто1ра ми, отличающийся тем, что, с целью увеличения чув ствительности и уровня выходного сигнала, 15 тензорезисторы выполнены на основе комплоисных ион-радикальных солей тетрацианхинондиметана с различными алк ил- и аралкилзамещеыными бисчетвертичньвми катионами дихинол ин ия и фена нтрол иния.
20 2. Датчи к по п. 1, отличающийся тем, что, с целью расширения электрических и тем пературных свойств применяемых материалов, ком плеконые ион-радикальные соли на основе дих иноли ния и фенантролиния содержат в ка25 честве нейтральной молекулы молекулу йода.