Релаксационный диод

Релаксационный диод

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

302770

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 24.Х1.1965 (№ 969787/26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 28.1V,1971. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 7.Х.19 1

МПК Н 01! 1/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.316.8/.64 (088.8) Автор изобретения

П. Г. Чубов

Заявитель

РЕЛАКСАЦИОННЪ|й ДИОД

Известен релаксационный диод с коэффициентом усиления на току К;=100 и релаксационным временем 3 — 4 сек. Электроды этого диода выполнены из меди и цинка. Между электродами находится разделяющий слой перекиси свинца.

Предлагаемый диод отличается тем, что один из электродов выполнен из магния.

Активная площадь испытанного образца

0,6 см2. При напряжении в схеме 30 в и максимальном токе i „=40 ма, К;=400. Такой элемент обладает индуктивностью, эквивалентной двум миллигенри.

При включении релаксода в цепь постоянного тока в проводящем направлении ток медленно нарастает примерно по экспоненциальной кривой. Среднее время релаксации

10 — 30 сек в зависимости от величины и продолжительности тока, пропускаемого в запорном направлении перед включением прибора.

Минимальное релаксационное время исчисляется долями секунд.

На чертеже представлена схема релаксационного диода. Диод состоит из магниевого электрода 1, медного корпуса 2, разделяющего слоя перекиси свинца 8 и слоя эпоксидной смолы 4.

10 Предмет изобретения

Релаксационный диод, состоящий из двух металлических электродов, одним из которых является медный корпус, с разделяющим

15 слоем перекиси свинца, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента усиления по току, расширения временных релаксационных интервалов и придания прибору свойств индуктивности, второй электрод вы20 полнен из магния.

302770

Редактор Л, М. Струве Техред А. А. Камышникова Корректор О. И. Волкова

Заказ 2642/1 Изд. № 1048 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2