Способ фоторегистрации следов заряженных частиц

Способ фоторегистрации следов заряженных частиц

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОП ИСАН-И К

ИЗОБРЕТЕНИЯ

303602

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 31 1.1970 (№ 1398675/18-10) МПК G Oi t 1/08

G 01t 5/00 с присоединением заявки J¹

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 13.Ч.1971. Бюллетень № IG

Дата опубликования описания 14.ЧП.1971

УДК 621.386.82:778.347 (088.8) Авторы изобретения

В. И. Калашникова, А. А. Колюбин и Б. Д. Лемешко

Московский инженерно-физический институт

Заявитель

СПОСОБ ФОТОРЕГИСТРАЦИИ СЛЕДОВ ЗАРЯ)КЕННЫХ ЧАСТИЦ

Предмет изобретения

Изобретение относится к технике регистрации заряженных частиц, в частности к регистрации, применяемой при дозиметрии.

Известны способы фотографической регистрации следов заряженных частиц в условиях интенсивного фонового излучения путем получения скрытого изображения в эмульсионпом слое, подвергаемом в дальнейшем отбеливанию и проявлению.

Устранение вуалирующего воздействия фонового излучения в известных способах осуществляется путем охлаждения эмульсиопного слоя до температуры, не допускающей образования скрытого изображения. Но процесс охлаждения длится долго и поэтому такой прием не применим при частых и быстрых переходах к полезному экспонированию.

С целью безынерциопного уменьшения вуалирующего действия фонового излучения предложено к эмульсионному слою прикладывать высокочастотное электрическое поле на время действия только фонового излучения, т. е. в отсутствие полезного экспонирования, а экспопированный регистрируемым излучецием слой после отбеливания проявлять глубинным проявителем.

Для реализации спосооа фотоэмульсионный слой помещают между двумя -электродами, на которые подается напряжение высокой чаcToTbl. Подключение осуществляется до илп после полезной экспозиции. Скрытое изображение, образующееся только под воздействием фонового излучения в эмульсионных кристаллах, вытесняется электрическим полем на

5 поверхность этих кристаллов. Для пленок типа ФТ-СК и Р,Ч-1 при частоте электрического поля в 100 кгн и напряженности порядка 10 - в/слю поверхностное изображение составляет более 90% .

10 На время полезного экспонирования высокочастотное электрическое поле отключают, и скрытое фотографическое изображение образуется по всему объему кристалла равномерно. Экспонированный регистрируемым излуis ченпем эмульсионный слой отбелпвают и тем самым практически полностью удаляют скрытое изображение, находящееся на поверхнос|п, а затем выделяют полезную экспозицию с помощью глубинного проявителя.

20 Повышение напряженности электрического поля по сравнению с ранее указанным позволяет уменьшить вуалирующее действие фонового излучения больше, чем на порядок.

Способ фоторегистрацпи следов заряженпы частиц в условиях фоновых излучений путем получения скрытого изображения в эмульсионном слое с последующим отбелива303602

Составитель Ю. Ферштмаи

Редактор E. С. Братчикова Техред А. А. Камышиикова Корректоры: Н. В. Воробьева и Е. В, Исакова

Заказ 1750/6 Изд. № 728 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, )К-35. Раушская наб., д, 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 нием и проявлением, отличающийся тем, что, с целью безынерционного уменьшения вуалирующего действия фонового излучения, на время воздействия только фонового излучения к эмульсионному слою прикладываютвысокочастотное электрическое поле, а экспонированный регистрируемым излучением слой после отбеливания проявляют глубинным проявителем.