Гсоюзная ;г»т'у''1|'^ ti"'- '-''»''-'^!^»-!дг' il.!!:.(i! 'k'-uast(>& .1,«г»шd'-;".;ihotzka i
Патент 304253
Классы МПК
Гсоюзная ;г»т'у''1|'^ ti"'- '-''»''-'^!^»-!дг' il.!!:.(i! 'k'-uast(>& .1,«г»шd'-;".;ihotzka i
Иллюстрации
Реферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советскик
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 22.Xll.1969 (№ 1387118/23-4) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 25Х.1971. Бюллетень ¹ 17
Дата опубликования описания 6.VII.1971
Л!ПК С 07с 147/04
Комитет по делам изобретеиий и открытий при Совете Министров
СССР
УД К 547.379.53.07 (088.8) Автор ь изобретения
H. Н. Новицкая, Л. Е. Журавлева и С. И. Черникова
Институт химии Башкирского филиала AH СССР
Заявитель
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВИНИЛСУЛЬФОНОВ
Изобретение относится к способу синтеза
ВиHилсу льфонов.
В настоящее время винилсульфоны привлекают внимание как мономеры для полимеризации с целью получения бензостойких каучуков, а также для изготовления вспомогательных материалов в текстильной промышленности. Легко доступные продукты присоединения сероводорода, алкил- и арилмеркаптанов к винилсульфонам могут применяться в качестве стабилизаторов топлива, смазочных масел и исходных веществ для производства красителей.
Дивинилсульфон черезвычайно интересен для получения полифункциональных соединений за счет реакции присоединения нуклеофильных реагентов к одной двойной связи, в результате чего образуются различные мономеры, вступающие в реакцию гомо- и сополимеризации. Винилсульфоны обладают высокой диэлектрической проницаемостью, что может использоваться для получения диэлектрических материалов.
Известен способ получения винилсульфона дегидрогалогенированием галогенсульфонов действием цинковой пыли.
Однако при дегидрогалогенировании с применением цинковой пыли наблюдается значительное колебание выходов винилсульфонов и необходима тщательная очистка образующихся продуктов.
Предлагаемый способ отличается тем, что реакция дегидрогалогенировання галогенсульфонов осуществляется на окиси алюминия прп комнатной температуре в бензоле, ацетоне, диоксане. Получаемые с почти количественными выходами винил- и дивинилсульфоны в условиях способа не вступают в побочные реакции, не осмоляются и не полимеризуются.
После отгонки растворителя при комнатной
10 температуре виннлсульфоны не нуждаются в ректификации нлн иной дополнительной очистке.
Преимуществами предлагаемого способа являются простота аппаратурного оформления
15 и доступность реагентов, высокая чистота получаемых винплсульфопов, что исключает дополнительную очистку, простота регенерации окиси алюминия.
П р и м ер 1. В стеклянную хроматографи20 ческую колонку, содержащую 200 г Al Оз третьей активности (по Брокману), заливают раствор 6 г Р-хлорэтилгептилсульфона (T. пл.
31 С) в 150 ял бензола. После того, как весь раствор поглотится окисью алюминия, промы25 вают колонку 350 л,г бензола, собирают элюент, испаряют в вакууме водоструйного насоса (120 — 140 лл рт. ст.) или при атмосферном давлении при температуре водяной бани. В остатке получают 4,6 г H-гентнлви1шлсульфо30 на (92 с от теоретического) .
Пример 2. В условиях, о в прн304253
Составитель Крючкова
Текрсд F. Борисова
Корректор О. С. Зайцева
Ре.—,актор Е. П. Хорина
Заказ 1799 13 Изд. Х 757 Тира>к 473 Подписное
Ц1-11ЛИПИ Комитета цо делам изобретений и открьггий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4i5
Тнпографн !, !!ð. Сапунова, 9 мере 1, из 6 г $-хлорэтил-и-октилсульфона (т. пл. 38 С) получают 4,5 г (90о/о от теоретического) B-октилвинилсульфона.
П р и и е р 3. В условиях, описанных в примере 1, из 10 г $-хлорэтил-и-децилсульфона (т. пл. 49 С) получают 8,3 г (96% от теоретического) и-децилвинилсульфона.
Пример 4. Через колонку, содержащую
90 г А1 0з, пропускают раствор 6 г Р-хлорэтил-и-децилсульфона, промывают колонку
350 нл бензола. Выделяют 4,8 г и-децилвинилсульфона (93 в от теоретического). Для регенерирования А! Оз пропускают через колонку раствор 0,9 г NaOH в водно-ацетоновом (1:10) или водно-диоксановом (1:10) растворе.
После регенерирования пропускают через колонку 6 г P-õëoðýòèëäåöèëñóëüôîíà и получают с выходом 94% от теоретического и-децилвинилсульфон.
Пример 5. В колонку, содержащую 200 г
А!20з заливают раствор 3,8 г бис-(P-õëîðэтил) -сульфона (т. пл. 56 C) в 150 нл бензола, затем промывают колонку 350 — 400 гнл бензола. Выделяют 2,1 г (90% от теоретического) дивинилсульфона.
Предмет изобретения
1. Способ получения винилсульфонов путем
10 дегидрогалогенирования галогеналкилсульфонов и выделения целевого продукта известными приемами, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса и повышения степени чистоты винилсульфонов, дегидрогалогенирова15 ние проводят на окиси алюминия в среде апротонного растворителя.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что дегидрогалогенирование проводят при температуре 20 — 25 С,