Способ получения полиуретанового магнитного лака
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
МПК С 08g 22/06
С 09с1 3/72
Заявлено 15.1.1969 (№ 1297901/23-5) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01.VII.1971. Бюллетень № 21
Дата опубликования описания 01.IX.1971
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 678.664(088.8) (I
С. И. Омельченко, В. П. Кузнецова, И. Э. Ильюшек и Т. А. Вальчук
Авторы изобретения
Заявитель Институт химии высокомолекулярных соединений AH Украинской ССР
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИУРЕТАНОВОГО МАГНИТНОГО ЛАКА
Таблица
Результаты испытания магнитных лент,Термоустойчи вость
Устойчивость
Т =40 С, влажность
20 — 98 4
Износоустойчивость в (нормальных климатических условиях
Толщина Коэффицнмагнитного ент трения слоя, мк по бронзе
Микротвердость, кг/мм — 60=
+ 60
84000
0,362
0,362
84000
6,8
5,5
87000
89000
Изобретение относится к области получения полиуретановых магнитных лаков.
Известен способ получения полиуретанового магнитного лака путем взаимодействия олигоэфира на основе адипиновой и фталевой кислот и гексантриола с полиизоцианатом, представляющим собой аддукт толуилендиизоцианата и того же олигоэфира, в среде органического растворителя и в присутствии магнитного порошка и поверхностно-активного вещества.
Предложенный способ отличается тем, что для улучшения физико-механических свойств магнитного покрытия в качестве олигоэфира применяют олигоэфир на основе смеси адипиновой и фталевой кислот и смеси диэтиленгликоля с глицерином, а в качестве полиизоцианата применяют полиизоцианат биуретовой структуры.
Предложенный способ получения магнитного лака малокомпонентен, кроме того, использование полиизоцианата биуретовой структуры в данной композиции позволяет получить магнитное покрытие с повышенными физико-механическими свойствами.
Приготовленный лак наносят на полиэтилентерефталатную пленку с адгезпонным подслоем кистью или через фильеру. Сушку лака и подслоя проводят при 120 С в течение
5 иин
Во всех случаях количество порошка превышает количество связующего в 2,6 — 3 раза (считая на сухой остаток).
Полиуретановь1й магнитный лак приготовляют на 30 — 100 г магнитного порошка и отливают на поливной машине. Результаты исследований приведены в таблице.
308033
Составитель Т, Никольская
Редактор Т. Загребельная Техред 3. Н. Тараненко Корректор О. Б. Тюрина
Заказ 2227/13 Изд. Ме 946 Тираж 473 Подписное
ЦИИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва,,Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
Как видно из приведенных данных магнитные ленты на основе предлагаемого магнитного лака обладают хорошей износоустойчивостью при температурах +60 Ñ и термоустойчивостью.
Пример. В шаровую мельницу емкостью
0,5 л загружают 100 г магнитного порошка, 1,5 г бутилстеарата и 130 мл растворителя P-1 (смесь циклогексанона, этилацетата и этилцеллозольва в соотношении 1: 2: 2). Смесь диспергируют в шаровой мельнице в течение
24 час. Затем к полученной суспензии добавляют 20,3 г олигоэфира на основе смеси адипиновой и фталевой кислот и смеси диэтиленгликоля с глицерином в 60 мл растворителя и смесь перемешивают еще 24 час. После этого в композицию прибавляют 17,7 г полиизоцианата биуретовой структуры в 50 мл растворителя и смесь диспергируют еще 0,5 — 1 час.
Полученный лак фильтруют через капроновую ткань, определяют вязкость по ВЗ-4 и наносят на лавсановую основу с адгезионным подслоем, Вязкость лака 16 — 18 сек, жизнеспособность по вязкости не менее суток.
Предмет изобретения
Способ получения полиуретанового магнитного лака путем взаимодействия сложного
1О олигоэфира с полиизоцианатом в среде органического растворителя и в присутствии магнитного порошка и поверхностно-активного вещества, отличающийся тем, что, с целью улучшения физико-механических свойств магнитного покрытия, в качестве олигоэфира применяют олигоэфир на основе смеси адипиновой и фталевой кислот и смеси диэтиленглпколя с глицерином, а в качестве полиизоцианата применяют полиизоцианат биуретовой
20 структуры.