Травитель для полупроводниковых материалов

Травитель для полупроводниковых материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 308470

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союэ Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК Н 011 7/50

Заявлено 15.XI I.1969 (№ 1384348/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 01.VII.1971, Бюллетень № 21

Дата опубликования описания 9,IX.1971

Комитет по делам иэобретвиий и открытий при Совете Министров

GCGF

УДК 621.382,002 (088.8) Авторы изобретения

В. В. Кузин и В. М. Зайченко

Заявитель

ТРАВИТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ

Изобретение относится к технике травления полупроводниковых материалов.

Известны многочисленные травители для травления полупроводниковых м атериалов.

В частности, широкое распространение имеют травители кислотно-щелочного типа.

Однако вое известные травители не позволяют определить границу срастания подложка-пленка, так как кристаллы одинакового типа проводимости травятся в специальных химических травителях примерно одинаково.

Цель изобретения †выяви границу срастания эпитаксиальной пленки арсенида галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости.

Поставленная цель достигается тем, что травитель содержит 3HNOg+HF+5HgO и

6ИаОН+НэОе в соотношении от одной до пяти весовых частей первого компонента на одну весовую часть второго компонента.

Вышеуказанная жидкая смесь хорошо выявляет границу срастания при действии этой смеси на скол выращенного элемента в течение 1 — 3 л ин. Предложенная жидкая смесь может содержать также компоненты в следующих соотношениях:

1. Одна весовая часть (3HNOg+HF+5HgO) и одна весовая часть (6NaOH+H O ); 1: 1.

2. Две весовые части (3HNOg+HF+5HgO) и одна весовая часть (6ХаОН+НР+НэОг);

5 2:1.

3. Четыре весовые части (ЗНХОэ+НЕ+

+5НэО) и одна весовая часть (6NaOH+H O );

4: 1.

4. Пять весовых частей (ЗНХОз+НР+

1о +5НэО) и одна весовая часть (6NaOH+HqOq);

5: 1.

Выявление границы подложка-пленка дает возможность определить толщину наросшего слоя.

Предмет изобретения

Травитель для полупроводниковых материалов кислотно-щелочного типа, отличающш(сл тем, что, с целью выявления границы срас20 тания эпитаксиальной пленки арсенпда галлия на подложке арсенида галлия того же типа проводимости, он содержит ЗНХОз+

+HF+5H O и 6NaOH+HgOg в соотношении от одной до пяти весовых частей первого ком25 понента на одну весовую часть второго компонента.