Схема совпадений наносекундного диапазона
Патент 308521
Классы МПК
Схема совпадений наносекундного диапазона
Иллюстрации
Реферат
308521
Сова Советски»
Социалистических
Республик
ОПИСАН ИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
МПК Н 03k 19/24
Заявлено 07.VI!.1969 (№ 1344419/26-9) с присоединением заявки ¹
Приоритет
Опубликовано 01.VII.1971. Бюллетень ¹ 21
Дата опубликования описания 23ХП1.1971
Коиитет по далев иаобрвтвний и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 621.374.36(088.8) 1 л Я
; ? glg14
/ME.
Автор изобретения
В. М. Железняков
Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
Заявитель
СХЕМА СОВПАДЕНИЙ НАНОСЕКУНДНОГО
ДИАПАЗОНА
Известна схема совпадений наносекундного диапазона с регулируемым разрешением по длительности импульсов, выполненная на транзисторе и туннельных диодах, содержащая входные и выходные цепи, цепь обратной связи и элемент сложения.
Целью иозбретения является увеличение пределов разрешения и повышения быстродействия. Это достигается тем, что элемент сложения устройства образован транзистором и двумя встречно-включенными туннельными диодами. При этом цепочка туннельных диодов подключена между базой и эмиттером транзистора.
На чертеже приведена принципиальная схема предлагаемого устройства, где 1 — туннельный диод с током в максимуме 1„и то1 ком в минимуме 1»» 2 — туннельный диод с током в максимуме I„è током в минимуме г
1»»,, 8 — транзистор типа п-р-п; 4 — переменное сопротивление Ri; 5 — сопротивление R>, ограничивающее ток через транзистор 8; б— сопротивление R3, 7 — сопротивление R,; 8— индуктивность и 9 — емкость.
Схема работает от импульсов отрицательной полярности любой длительности, но стандартной амплитуды.
В статическом состоянии схемы туннельный диод 1 включен, а следовательно, включен транзистор 3. Через цепочку туннельных диодов 1 и 2 протекает ток,„смещения, который удерживает тупнельный диод 1 во включенном состоянии и смещает туннельный диод 2 в обратном направлении. Чтобы такое состоян е схемы являлось ее единственным устойчивым состоянием, должны выполняться соотношения:
10 см — ) 1min —,-,> 1
Š— + — )1 где R=R,+R,+R, Если на любой из входов схемы в момент
15 времени io поступит отрицательный импульс тока с амплитудой Ж такой, что Л1+ Lcm(<1m» то туннельный диод 1, выключится, 1 а следовательно, закроется и транзистор 3.
Ток в цепи обратной связи 4, 5, б, 8, 1 и 2
20 Е начнет увеличиваться по закону i (f) = — (1—
Rt — е ), смещая туннельный диод 2 в обратL ном направлении и препятствуя его срабатыванию от входных импульсов, В момент времени ii, этот ток достигнет такой величиныi„ что „„+ i, + п. Л будет больше 1рг . Следовательно, если за промежуток времени Й вЂ” fg
30 модуль суммы в»опт ых отрицательных токов не превысит величины 4„, + 1„, то туннельный диод 2 так и не сработает. Таким образом, („= 4 — to является разрешающим временем предлагаемой схемы и определяется выражением
= — — е 1 — hi — )
L R
P / n Е ) полагая, что i (t ) = Ai, где 1„— можно изменять, изменяя любое из сопротивлений 4 — о в интервале, определяемом выражением см + ) р .
В действительности, разрешающее время схемы несколько больше из-за переходных процессов транзистора 8. Поэтому для получения очень малых разрешающих времен можно исключить из схемы реактивные элементы, используя задержку действия обратной связи за счет переходных процессов в тран308521
L зисторе 8. Мертвое время схемы 2 — .
Д
Аналогично работает схема, в которой имеется емкость 9, включенная как указано
5 пунктиром на чертеже.
Предмет изобретения
Схема совпадений наносекундного диапа10 зона с регулируемым разрешением по длительности импульсов, выполненная на транзисторе и туннельных диодах, содержащая входные и выходные цепи, цепь обратной связи и элемент сложения, отличающаяся тем, 15 что, с целью увеличения пределов разрешения и повышения быстродействия, элемент сложения образован упомянутым транзистором и двумя встречно-включенными туннельными диодами, причем цепочка туннельных диодов
20 подключена между базой и эмиттером транзистора.
Составитель А. Мерман
Редактор Т. Гаврикова Тсхрсд А. А. Камышникова Корректор В. И. Жолудева
Заказ 2218/3 Изд. № 967 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2