Способ электрической формовки точечного полупроводникового диодассгсоюзная,^ ^ -,-,-п - ч[.ч-:ць:!^у , ,. j;.!'(• rti>&" i wauk il.ija.с'-1блиот?ка

Способ электрической формовки точечного полупроводникового диодассгсоюзная,^ ^ -,-,-п - ч[.ч-:ць:!^у , ,. j;.!'(• rti>&" i wauk il.ija.с'-1блиот?ка

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬГИт ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союа Советскив

Социалистическив

Республик

Зависимое от авт. свидетельства Г6

Заявлено 10.lll.1970 (№ 1412968 26-25) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 31.VIII.1971. Бюллетень № 26

Дата опубликования описания 22.Х.1971

Л !ПК Н Oll 7/56

Комитет по делам изобретений и открытиЯ при Совете Министров

СССР

УДК 621.382.002 (088.8) Авторы изобретения

В. П. Шаповалов, В. А. Климов, В, М. Палей, Л. С. Выдра и С. В. Потупайленко

Заявитель

СПОСОБ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ФОРМОВКИ ТОЧЕЧНОГО

ПОЛУПРОВОДН ИКОВОГО ДИОДА

Изобретение относится к производству точечных диодов, изготавливаемых»а основе монокристаллического германия п-типа, и может быть использовано в электронной промышленности.

Известные способы электрической формовки точечных диодов на основе германия и-типа предусматривают создание р-и переходов путем подачи на формуемый диод, находящийся при температуре 200+5 С, одного или серии синусоидальных или однополярных импульсов напряжения. Причем обязательным условием протекания процесса формовки является развитие в формуемой области температуры 600 — 700 С.

При осуществлении процесса формовки данными способами охлаждение формуемой структуры от температуры 600 — 700 С происходит естественным путем за очень короткое время, 1 — 1,5 сек, что приводит к флуктуационному распределению микродефектов и дислокаций в объеме р-и перехода под действием термического удара, благодаря которому они вырываются из окружающих пх примесей. Вследствие этого эффективность микродефектов и дислокаций как центров рекомбинации усиливается. Последнее обстоятельство отрицательно сказывается на электрических параметрах диодов и является существенным недостатком известных способов электрической формовки.

Цель изобретения — уменьшение влияния неконтролируемого флуктуацпонного распределения центров рекомбинации в объеме р-и перехода за счет сглаживания термического удара при охлаждении отформованной структуры путем уменьшения общего градиента температуры и введения принудительного Ох10 лаждения.

Цель достигается тем, что процесс электрической формовки точе ных полупроводниковых диодов на основе германия и-типа осуществляют с предварительным прогревом дио15 дов при температуре около 200 С с последующим принудительным охлаждением после завершения процесса формовки со скоростью н е б ол ее 20 С(ми н.

20 Способ осуществляется следующим образом: подготовленные к формовке диоды однородно прогреваются до температуры 200 С, затем любым известным способом диод формуется, после чего однородно охлаждается

25 со скоростью не более, чем 20 C ëøí.

Диодные структуры, отформованные предлагаемым способом, имеют повышенное напряжение пробоя и соответственно более низкие уровни обратных токов за счет уменьше30 нпя влияния неконтролируемого флуктуацпон313244

Предмет изобретения

Составитель М. Г. Лепешкина

Техред Е. Борисова Корректор Л. А, Царькова

Редактор И. Орлова

Заказ 2878/12 Изд. Хе 1192 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-З5, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ного распределения центров рекомбинации в объеме р-и перехода.

Способ электрической формовки точечного полупроводникового диода «а основе монокристаллического германия п-типа, отличаюи ийся тем, что, с целью уменьшения влияния неконтролируемого флуктуационного распределения центров рекомбинации в объеме р-и перехода, формовку диода производят при температуре около 200 С после его однородного прогрева с последующим принудительным охлаждением со скорость о не более

20 C/ìèí.