Способ обнаружения ангиклинальнь{х структур

Способ обнаружения ангиклинальнь{х структур

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

1Ги в зт7

ОПИСА

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 26.Ill.1970 (№ 1420064/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1971. Бюллетень № ЗО

Дата опубликования описания З.Х11.19i 1

МПК G Olv 1, 00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 550.834(088.8) Авторы изобретения

И. Б. Мо ш и иски й

Институт геологии и разработки горючих ископаемых

Заявитель

СПОСОБ ОБНАРУ КБН119 АНТИКЛИНАЛЬНЬ1Х СТРУКТУР

Изобретение относится к способам обнаружения антиклипальных структур сейсморазведкой отраженными волнами, особенно структур куполовидной формы с большой кривизной поверхности.

Известен способ обнаружения антиклинальных структур обычной поисковой методикой сейсморазведки, основанной на изучении кинематических характеристик сейсмических волн.

Однако при сейсмических исследованиях

МОВ могут быть пропущены антиклинальные складки, характеризующиеся значительной кривизной геологических границ.

Целью изобретения является повышение эффективности и упрощение поиска антиклинальных структур, характеризующихся значительной кривизной отражающих поверхностей.

Поставленная цель достигается тем, что изучают изменение энергетической характеристики сейсмических волн вдоль профиля.

Наибольший интерес представляют участки профиля, где значительно ослабляются или полностью отсутствуют отражения от прослеживаемых поверхностей. Исчезновение отражений может быть вызвано тем, что криволинейная поверхность сводовой части антиклинальной структуры дополнительно рассеивает

Ралновую энергию, Значигельное ослабление интенсивности ограженных волн или их полное отсутствие является существенным поисковым признаком ан i иклинальной структуры.

Выделенный участок профиля, где отражения от прослеживаемых поверхностей значительно ослаблены или отсутствуют вообще, исследуют при помощи основного контрольного профиля, перпендикулярного к первона10 чальному и проходящего через середину выделенного участка. Отсутствие отражений на контрольном профиле в области пересечения его с первоначальным профилем позволит наметить ориентировочный контур сводовой ча15 сти антиклинальной структуры.

Преимущество предложенного способа заключается в значительном упрощении поиска и ориентировочного оконтуривания антиклинальных структур, особенно сложнопостроен20 ных, характеризующихся значительной кривизной поверхности. Особенный экономический эффект даст применение предлагаемого способа при вторичном пересмотре ранее получсп ого фондового сейсмического материала

25 на участках профилей, где отраженные волны значительно ослаблялись или вообще не регистрировались. Таким образом, без дополнительных затрат может быть выявлено большое число антиклинальных структур.

30 На чертеже представлена схема расположе317012

Составитель Г. Соколинский

Редактор Ю. Полякова

Техрсд Т. T. Ускова

Корректоры: А. Николаева и Л. Корогод

Типография, пр. Сапунова, 2 ш1я профилей с указанием характера прослеживания отраженных волн, где 1 — 4 сейсмические профили, 5 — ориентировочный контур сводовой части антиклинальной структуPhI.

В резульгате изучения энергетической xapHHiep»cIHHH отраженных волн вдоль профиля 1 выделяют участок, на котором oipa»

Дополнительные (диагональные) контрольtitle профили о, 4, также проходящие через середину выделенного участка соответственно под углами 45 и 135 к первоначальному профилю 1, необходимы "îãäà, когда форма антиклинальной структуры значительно отличается от куполовидной и близка, например, к цилиндрической.

В этом случае при условии, что первоначальный профиль 1 сечет цилиндрическую структуру вкрест простирания, по всему основному контрольному профилю 2, расположенному по простиранию структуры, будут регистрироваться отраженные волны. В то >ке время EIB дополнительных диагональных контрольных профилях 8, 4 появятся участки ослабления или исчезновения отражени11, гго также позволит ориентировочно оконтуризь сводовую часть структуры, Следует отметить, что если намеченный ор»5 еnTHpotto÷nûé контур свода структуры имеет форму эллипса, то действительная форма»о;.— нягпя будет также эллиптической, только повернутой относительно построенного эллипса па 90". 3lo обьясняется прямо пропорцпонал»10 ной зависимостью между кривизной поверхности и интенсивностью отраженных волн.

Предмет изобретения

1. Сnocou обнаружения аптиклHHH;Il>itt lx

15 структур сейсморазведкой отраже1шымн волпамп, от,1ича1ошийся тем, что с целью повышения эффективности и упрощения поиска ангиклинальных структур, арактерпзующпхся значительной кривизной отражающих поверхностей, выявляют изменение энерге гической характеристики отражеHE ых волн вдоль основного сейсмического профиля, выделяют участки резкого ослабления или исчезновения отраженных волн, проводя7 через центр этого участка несколько примерно ра»ноотстоящих друг от друга продольных контрольных профилей, например, под углами 45, 90 и 135 к основному профилю, и получают ориентировочный контур сводовой части ан50 1иклинальной структуры в виде огибающей замкнутой KpiIBQH, соединяющей концы участков всех профилей, на которых отраженные волны значительно ослаблены или совсем Ite регистр ируются.

55 2. Cr.oñoá по п. 1, отличающийся тем, что протяженность продольных контрольных Ilpoфилей задают не менее тройной длины участка основного профиля, на котором отражен1ые волны резко ослаблены или вообще не

40 регистрируются.

Заказ 2-10616 Изд. И 1424

Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете

Минис гров СССР

Москва, К-З5, Раушская наб., д. 4/5