Способ получения покрытия ^

Способ получения покрытия ^

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

0 П И С А Н И Е 3I7L3l

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистически»

Республид

Зависимое от авт. свидетельства,U

Заявлено 12.Ч11.1969 (№ 1348497/26-25) с присоединением заявки Ме

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1971. Бюллетень ¹ 30 "

Дата опубликования описания 9.XII.1971

МПК Н 011 7/00, Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

УДК 621.382.002(088.8) Авторы изобретения

Л. М. Герт, А. А. Бабад-Захряпин и Л. Р. Юшина

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ "

Изобретение относится к области создания кристаллоориентированных,покрытий и может найти применение в электровакуумной технике, Известен способ создания кристаллоориентированных покрытий, состоящий в том, что при определенном пересыщении осуществляют конденсацию пара на кристаллоориентированной подложке. Величина пересыщения выбирается такой, чтобы обеспечить эпитаксиальный рост покрытия. В случае автоэпитаксиального процесса, т. е. при конденсации вещества на подложку из того же вещества эпитаксиальный рост характеризуется тем, что в покрытии полностью сохраняется ориентировка кристаллов подложки. Однако в случае подложки с многокомпонентной текстурой при автоэпитаксиальном росте в покрытии не удается сохранить только одну OIIределенную компоненту, убрав все остальные компоненты текстуры.

С целью сохранения,в покрытии только одной из компонент текстуры подложки осуществляют образование покрытия при пересыщениях пара больших, чем это необходимо для автоэпитаксиального роста, при этом величина пересыщения должна иметь конкретные значения, определенные типом той компоненты текстуры, которую необходимо сохранить: пересыщение пара должно быть таким, чтобы кристаллографическая плоскость, параллельная плоскости подложки собственной текстуры покрытия, совпадала с кристаллографической плоскостью зерен подложки, определяющих выбранную компоненту текстуры подложки.

Под собственной текстурой покрытия подразумевается та аксиальная текстура, которая образуется в конденсатах, создаваемых

10 на кристаллонеориентированных (аморфных) подложках. Собственная текстура в основном определяется пересыщением пара.

Способ иллюстрируется следующим примером.

15 B покрытии на подложке из молибдена с текстурой типа (100) (110)+ (111) (112) +

+ (110) необходимо сохранить только текстурную компоненту (111) (112) ). Образование покрытия производят конденсацией па20 ров молибдена в вакууме. При температуре подложки 1000 — 1200"С автоэпитаксиальный рост реализуется при скоростях роста покрытия 0,7 — 1,5 мк/мин. При той же температуре подложки и скоростях роста покрытия 5,5—

25 6,5 мк/мин собственной текстурой покрытия является аксиальная текстура (111).

При температуре подложки 1100 С и скорости роста слоя 6 мк/мин образуется слой

30 толщиной 40 лк.

317131

Предмет изобретения

Составитель М. Ф, Сорокина

Текрсд Т. T. Ускова

Корректоры: А. Николаева н Л. Корогод

Редактор Ю. Полякова.>аказ 3422, 14 Изд. ¹ 1439 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и откры1ий при Совете Министров СССР

Москвсь Ж-35, Раушская паб., д. 4, 5

Типография, пр, Сапунова, 2

В покрытии обнаружена только компонен та текстуры (111) (112).

Ф т

1. Способ получения покрытия, например металлического, на поликристаллической подложке с многокомпонентной текстурой из того же материала, что и материал покрытия, осаждением из паровой фазы, отличающийся тем, что, lc целью сохранения в покрытии только одной из компонент текстуры подложки, пересыщение пара осаждаемого материала выбираюг большим, чем это необходимо для автоэпитаксиального роста, но находящимся в пределах, необходимых для получения такой собственной аксиальной текстуры роста покрытия, для которой кристаллогра5 фическая плоскость, параллельная плоскости подложки, совпадает с кристаллографпческой плоскостью зерен подложки, определяющих выбранную компоненту текстуры подложки.:

10 2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сохранения в молибденовом покрытии определенной текстуры, например (111) (112), осаждение ведут при температуре подложки 1100 — 1200 С и скорости роста 5—

15 6,,як/м ии,