Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком, нанесенным на пластину полупроводника

Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком, нанесенным на пластину полупроводника

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Ф

1 ° ", 1й

О и и-с А-н44-е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскик

Социалистическик

Республик

< и 317335

J

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свил-ву (22) Заявлено 08.04.68 (21) 1230943/26.25 (51)М. Кл.

Н 01 1 21/32, с присоединением заявки М—

Государственный комитет (28) Приоритет— по делам кэооретений и открытнй

Опубликовано 25 03 80. Бюллетень J% 11 (53) УДК 621,382. ..002 (088.8) Дата опубликования описания 25.03.80 (?2) Авторы изобретения

Е. А. Георгиевская, А. А. Мельникова и И. А, Пелезнева (? I ) Заявитель (54) СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА

С РИСУНКОМ, НАНЕСЕННЫМ HA ПЛАСТИНУ

ПОЛУПРОВОДНИКА

Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к технологическому процессу фотолитографии.

В процессе фотолитографии одна из важнейших операций — совмещение рисунка фотошаблона с рисунком, перенесенным ранее с другого фотошаблона на пластину полупроводникового материала (например кремния). В некоторых случаях необходимо получить совмещенные рисунки, находящиеся на противоположных сторонах пластины полупроводника.

Известны способы совмещения рисунка фотошаблона с рисунком, нанесенным на пластину полупроводника, основанные на применении системы зеркал или использовании вспомогательной фотолитографии.

Недостатками таких способов являются громоздкость оптических систем и сложность их юстировки, а также необходимость в проведении дополнительной фотолитографии.

Цель изобретения — разработка способа совмещения, позволяющего получать совмещенные рисунки, находящиеся на противоположных ловерхностях пластины полупроводника. Достигается она тем, что фотошаблон освещают проходящим через пластину полупроводника инфракрасным излучением и фиксируют рисунки на экране преобразователя инфракрасного излучения в видимое, 5

Совмещение осуществляют следующим образом.

Пластину с рисунком, нанесенным на одну сторону, и фоторезистом, нанесенным на дру10 гую сторону, располагают на столике стандартФ ной кассеты для совмещения рисунком книзу . и освещают снизу лампой с вольфрамовой нитью накала. Сверху накладывают фотошаблон.

Столик с пластиной подводят к шаблону, но

15 между пластиной и шаблоном оставляют зазор, позволяющий перемещать шаблон вдоль пластины. Изображения. рисунков фокусируют на экране преобразователя с помощью микроскопа МБС вЂ” 2. Шаблон перемещают вдоль пластины до тех пор, пока изображения рисунков пластины и фотошаблона на экране преобразоBRT0JIH не совместятся. Затем пластину сближают с шаблоном до упора и жестко закрепляют в этом положении. После этого производят

3 3) 7335

4 обычные операц щ задубливания и проявления телей или находится в более коротковолновои

Э I фоторезиста. области спектра, Данный способ позволяет совмещать фото- Ф о р м у л а и з о б р е т е н и я шаблон с рисунком структуры р-п-перехода, . Способ совмещения рисунка фотошаблона создаваемого мелкой диффузией, а также с 5 с рисунком, нанесенным на пластину полупролункой глубокого травления специальных водника, при освещении фотошаблона, о т л и. р — i-è фотодиодов. Он может быть применен ч а ю шийся тем, что, с целью двустопри технологических операциях совмещения, роннего совмещения, освещение производят производимых на пластинах кремния, арсенида инфракрасным излучением через пластину погаллия и других полупроводниковых материалов, О лупроводника с последующим фиксированием край поглощения которых совпадает с областью рисунков на экране преобразователя инфрачувствйтельности существующих преобразова- красного излучения в видимое.

Составитель М. Лепешкина

Техред О.Легеза Корректор Г. Назарова

Редактор Е. Месропова

Заказ 492/47 Тираж 844 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб,, д. 4/5

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4