Электропроводящее покрытие

Электропроводящее покрытие

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 01.VI.1970 (М 1446770/29-33) МПК С 03с 17/00 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открьпий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 02,XI 1971. Бюллетень № 33

Дата опубликования описания 29.XII.1971

УДК 666.1.056 (088.8) Авторы изобретения

Б. П. Крыжановский и Б. М. Круглов

Заявитель. «т-;, gay)AR

ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЕ ПОКРЫТИЕ

Удельное поверхностное сопротивление, ом

Концентрация вольфрама, мол. %

Интегральное светопропускание, %

2 10

5 10

1,5 10з

1,3 10з

58

39

10

Электропроводящее покрытие из микроком15 позиции двуокись кремния — вольфрам не меняют своих электрических и оптических свойств в атмосфере водорода при 600 — 800 С и при нагреве на воздухе до 200 С.

20 Предмет изобретения

Электропроводящее покрытие на диэлектриках па основе вольфрама, отличающееся тем, что, с целью повышения электропровод25 ности,и устойчивости к восстановительной атмосфере, оно дополнительно содержит двуокись кремния при соотношении компонентов, вес. %:

Ят02 20 — 50

30 W 50 — 80

Изобретение относится к области изменения электрических свойств диэлектриков путем нанесения па их поверхность тонких электропроводящих покрытий и может быть использовано для создания прозрачных электродов, снятия вредны.; электростатических поверхностных зарядов, выравнивания градиента потенциала на .поверхности диэлектриков и т. и.

Известно электропроводящее покрытие на основе вольфрама.

Цель изобретения — повысить поверхностную электропроводимость диэлектриков путем нанесения на их поверхность электропроводящих покрытий, устойчивых .к действию водорода и других восстановительных реагентов при повышенной температуре.

Достигается это тем, что покрытие содер-. жит двуокись кремния при соотношении компонентов, вес. %: SION 20 — 50, Г 50 — 80.

Меняя концентрацию вольфрама в слое и его толщину, можно получать покрытия с удельной поверхностной электропроводностью

10- — 10 олт и светопропусканием 10 — 70%.

При этом увеличение содержания вольфрама в микрокомпозиционном слое вызывает повышение проводимости и снижение светопропускания слоя. Ниже:приведены данные удельного поверхностного сопротивления и интегрального светопропускания (0,35—

0,8 лтклт) для покрытий двуокись кремния— вольфрам толщиной 0,1 мкм различного состава, нанесенного на плавленный кварц.

Редактор С. Ежкова

Составитель С. Орлова

Техред 3. Н, Тараненко

Корректоры: А. Николаева и В. Петрова

Заказ 3629/2 Изд. Ка 1552 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2