Способ подгонки тонкопленочного резистивногоделителя
Патент 319962
Классы МПК
Способ подгонки тонкопленочного резистивногоделителя
Иллюстрации
Реферат
О П И С А Н И Е 319962
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 15.VI I I.1969 (№ 1355449/26-9) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 02.Х!.1971. Бюллетень № 33
Дата опубликования описания 20.1.1972
МПК Н 01с 7/00
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров
СССР
УДК 621.316.86 (088.8) Автор изобретения
Ю, А. Шепрут
»
Заявитель
СПОСОБ ПОДГОНКИ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТИВНОГО
ДЕЛИТЕЛЯ
Изобретение относится к технологии»производства радиоаппаратуры и может быть исаользовано при изготовлении .прецизионных тонкопленочных резистивных делителей.
Известен способ подгонки тонкопленочного резистивного делителя, состоящего из гальванически связанных резисторов, посредством анодирова»ния в жидком электролите.
Однако по известному способу трудно локализо вать площадь, занимаемую электролитом таким образом, чтобы электролит покрывал лишь тот резистор делителя, который подвергается подгонке.
Цель изобретения — обеспечение возможности подгонки каждого отдельного резистора тонкопленочного резистивного делителя из вентильного материала.
Для этого по предлагаемому способу после анодирования всего делителя в жидком электролите при определенном потенциале осуществляют подгонку отдельного резистора путем подачи на делитель такого потенциала, превышение которого над первоначальным потенциалом анодирования приходится только на резистор.
На фиг. 1 представлена диаграмма распределения электрического потенциала на подгоняемом резистивном делителе; на фиг. 2— диаграмма распределения потенциала по длине резистивного слоя при:подключении корректирующих резисторов. На обеих диаграммах приняты следующие обозначения: Ун— потенциал, при котором производят анодиро»вание всего делителя; Vi.,— последующий потенциал анодирования; l — длина резистивного слоя.
Тонкопленочный резистивный делитель, состоящий из гальванически связанных, например, двух резисторов, погружают в жидкий электролит, подают определенный потенциал и производят его полное анодирование по всей площади на глубину, соответствующую приложенному потенциалу. Затем к делителю прикладывают такой потенциал, чтобы превышение его над первоначальным потенциалом анодирования приходилось только на резистор, подгонку которого необходимо осуществить. В этом случае рост окисной пленки и соответственно уменьшение толщины резистивной пленки будут происходить только на участке, расположенном с одной стороны от точки О, а именно с той стороны, где потенциал превышает первоначальный потенциал анодирования. С другой стороны от точки 0 роста окисной пленки наблюдаться не будет.
Для обеспечения необходимых значений потенциалов и наклона диаграммы распределения потенциала по длине резистивного слоя
30 во внешнюю цепь могут быть включены до319962
Фиг. 2
Составитель Г. Челей
Техред Л. Евдонов
Корректоры: О. Волкова и Т. Гревцова
Редактор Т. Иванова
Заказ 3838/4 Изд. № 1522 Тираж 473 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, г,р, Сапунова, 2 полнительные корректирующие резисторы (см. фиг. 2).
Предмет изобретения
Способ подгонки тонкопленочного резистивного делителя, состоящего из гальванически связанных резисторов, посредством анодиро,вания в жидком электролите, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности подгонки каждого отдельного резистора, после анодирования всего делителя при определенном потенциале осуществляют подгонку отдельного резистора путем подачи на делитель такого потенциала, превышение которого над первоначальным:потенциалом анодирования приходится только на резистор.