Ан ссср и красноярскийполитехнический институт

Ан ссср и красноярскийполитехнический институт

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

320208

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 26.III.1969 (№ 1313063/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.Х.1973. Бюллетень № 43

Дата опубликования описания 23.111.1974

М, Кл. Н 01р 9/05

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

УДК 621.319.42:621.3. .035.224 (088.8) ЦД "(Г

Авторы изобретения

Г. С. Турчанинов и A. В. Воронков Ю3 . % и Красноярский

Заявители Институт физики Сибирского отделения АН СССР политехнический институт

СПОСОБ ИЗГОТОВЛ ЕНИЯ ОКСИДНО-ПОЛУП РОВОДН ИКОВЫХ

ТАНТАЛ ОВ Ь|Х КО НДЕ Н САТО РОВ

Предмет изобретения

Изобретение относится к области изготовления радиоэлементов — конденсаторов, применяемых в радиоприборостроении и электронике, а именно, к способам изготовления оксидно-полупроводниковых танталовых конденсаторов.

Известен способ образования оксидпой полупроводникового марганца в таких конденсаторах, при котором танталовые аноды формуют в кислотном электролите, например в растворе ортофосфорпой кислоты, а затем на поверхности заформованных танталовых анодов образуют слой двуокиси марганца путем пиролиза азотнокислого марганца. Однако при пиролизе, вследствие одновременного воздействия паров воды и окислов азота, пленка частично разрушается, отчего ток утечки конденсаторов увеличивается. Для уменьшения тока утечки оксидпую пленку формуют при напряжениях, в 3 — 4 раза больше номинального напряжения конденсаторов, а также несколько раз чередуют операции формовки и пиролиза. Однако при этом уменьшается удельная емкость конденсаторов, кроме того, образующийся при пиролизе слой двуокиси марганца имеет пористую структуру, что ведет к увеличению диэлектрических потерь конденсатора.

Цель изобретения — увеличение удельной емкости и уменьшение диэлектрических потерь оксидпо-полупроводниковых конденсаторов. Для этого формовку ведут в азотнокис5 лом марганце, нагретом до 60 С, в режиме постоянного тока плотностью не менее

0,1---0,4 U" ма на 1 см формуемой поверхности, где U — максимальное напряжение формовки, которос берут в 2 — 2,5 раза боль10 ше номинального напряжения конденсаторов.

Затем при установившихся постоянных значениях напряжения и плотности тока в том же электролите осаждают полупроводниковый слой двуокиси марганца требуемой тол15 щины. Заформованные и покрытые двуокисью марганца аноды извлекают из электролита, промывают и высушивают, после чего онн готовы к следующей операции образования наружного проводящего слоя.

Способ изготовления оксидно-полупроводниковых танталовых конденсаторов, основап25 ный на образовании оксидного слоя формовкой танталовых анодов в кислом электролите и получения полупроводникового слоя двуокиси марганца, отлика>ошийся тем, что, с целью увеличения удельной емкости и умень30 шепия диэлектрических потерь, формовку

320208

Составитель А. Чупруков

Техред Е. Борисова

Корректор Н, Торкииа

Редактор Л. Речицкий

Заказ 613 5 Изд. ЛЪ 175 Тираж 780 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений н открытий

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, ир. Сапунова, 2 ганталовых анодов производят в азотнокислом марг3llll0 в режиме ностоя1нюго тока плотностью не менее О,! — 0,4 U ма на 1 см- формуемой поверхности, где U — максимальное напряжение формовки в вольтах, которое.1 берут в 2--2,5 раза вьпие поминального напри>кения конденсаторов, а 3 печ при указанном напряжении в том же электролите осаждают полупроводниковый слой двуокиси марганца требуемой толщины.