Электропроводящее покрьпиеailiilcohdshah '

Электропроводящее покрьпиеailiilcohdshah '

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

323382

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик,, йф k gi, Ф

Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”

Заявлено 01 VI.1970 (№ 1446769j29-33) с присоединением заявки ¹â€”

Приоритет

М. Кл. С 03с 17/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 10.Х11.1971. Бюллетень № 1 за 1972

Дата опубликования описания 7.11.1972

УДК 666.1.056(088.8) Авторы изобретения

Б. П. Крыжановский и В. М. Круглов

Заявитель

ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЕ ПОКРЬ1ТИЕ

Концентрация

5 Мо в покрг»тпп молекул, ;

Удельное поверхностное сопротивление, о.в

Интегральное светопропускание, от

200

6000

25000

450000

10

Изобретение может быть использовано для получения прозрачных электродов, снятия вредных электростатических поверхностных зарядов, выравнивания градиента потенциала на поверхность диэлектриков и т. п.

Известно электр опро водящее покрытие, включающее молибден.

Цель изобретения — повысить поверхностную электропроводность диэлектриков путем нанесения на их поверхность электропроводящих покрытий, устойчивых к действию водорода и других восстановительных реагентов при повышенных температурах.

Достигается это тем, что покрытие дополнительно содержит двуокись кремния при соотношении компонентов (в вес. % ):

SiO 40 — 85, Мо 15 — 60.

Меняя концентрацию молибдена в слое и его толщину можно получать покрытия с удельной поверхностной электропроводностьто от 10 - до 10 †" он †и светопропусканием от

10 до 80%. При этом увеличение содержания молибдена в смеси вызывает повышение электропроводности слоя и спин ение его светопропускания.

Ниже приведены значения удельной поверхности электропроводности и интегрального светопропускания в видимой области для слоев двуокиси кремния — молибден толщиной -0,1 л к различного состава, нанесенного ва плавленый кварц.

Элсктропроводящис покрытия из микро15 кохшозиции IU) oêíñü кремния — молибден не мен HIQT свои.; электрических и оптических свойств в атмосфере водорода прп температурах до 600 — 800 С и при нагреве на воздухе до 200 C.

Предмет изобретения

Злектропроводягцее покрытие на диэлектриках, включающее молибден, отлачающееся тем, что, - целью повышения электропровод25 ности и устойчивости к восстановительной атмосфсре, оно дополнительно содержит двуокись кремния при соотношении компонентов (в вес. % ):

ЫОз 40 — 85

30 Мо 15 — 60