Способ изготовления диэлектрических пленок

Способ изготовления диэлектрических пленок

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

323808

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬГЕт ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от явт. свидетельства №

Заявлено 27.VI 1,1970 (№ 1462885/26-9) Кл. Н Olg 3/135 с присоединением заявки №

11риоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 10.Х11.1971. Бюллетень ¹ 1 за (972

Дата опуолнкования описания (5.11.1972

УДК 621.319.4:621.315.612 (088.8) Авторы изобретсни3!

Н. Е. Прихидько, А. И. Борисенко, В, В. Новиков, H. М. Митникова, 3. А. Рачеева и Е. П. Трошина

Заявитель

614БЛ3" -

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЕНОК этиловый спирт или смесь его с бутиловым спиртом 36,5 лтл

ДИСТИЛЛИРОВЯИНХIO В!)Д) 35 31л азотнокислый иттрий

"1 (50;3) z.6(1зО 3,07 г и последу!ощей терки)деструкции пленки при

800 С.

П р li м е р 2. Стекловидную диэлектричес1I3 кУю нлснкУ, содеРжащУю 25 вес, /о А(.Оз и

10 вес. % SIO нол3.1

П р и м с р 3. Стекловидную диэлектрнческУю пленкУ, состоЯщУю из 25 «сс. ",o Ясз03 и

75 вес. % $10з, готовят из раствора, содержяЩСI O TO ЖЕ СОСТ IВ131ЮЩИС, ЧТО Il P<1CTBÎP 13

2(3 примере 1, но в качестве язотнокислой соли оер3<т 395 г Sc(NO;;);3.4(1 0.

Пример содержащей

25 берут 2,67 г

+6J (O.

Г1 р и м е р 5. Для диэлектрической пленки, содержащей 29,2 вес. % РГ.Оз и 70,88 Вес. %

"-0 SiO, берут Pr(NO));; 6(-1зО 2,94 г, Изобретение относится к области радиоэлектроники и может быть использовано ири !Iзготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и плено ii)i,lx мнкроконденсяторов.

Известны способы изготовления диэлектрических пленок на основе окисла металла кремнезема, ГIри этом способе я изготовление нлсII013 за тра чиВяется ъ)НОГО Врез! Спи 1! ие удается получить беспсристые пленки.

Целью изобретения является сокращение времени получения бесиористог0 плеIIQ<1! IOãÎ слоя.

Согласно предложенному способу, диэлектрические пленки получают нанесением ня Iloлупроводниковую пластину пленкообразующсI о раствора, состоящего из смеси кремнеэп1лового эфира ортокремниеBoil кислоты с ироСТЫМИ СИИРТЯ МИ, В 1 .ОTOP) 10 В130ДЯТ IЗОТIIОКIIO— лую соль металла III группы периодической таблицы. После этого илеIIK) подверг lloT тсрмодеструкции ири температуре 700 — 800 С В течение 30 — 60 eel .

Способ поясняется примерами.

Пример I. Стекловидную диэлектрическую пленку, содер)кащую 25 вес. % 3 Оз и

75 вес. % S(Oq, получают путем нанесения иленкообразующего раствора, содержащего: тетраэтиловый эфир ортокремниевой кислоты 10,0 лтл

4. Для диэлектрической пленки, 25 вес. % I язОз и 75 вес. % SiO, аЗОтНОКИСЛОй СОЛИ Ln (NO)) з (323808

Предмет изобретения

Составитель Н. Степанов

Тсхрсд Л. Куклина

Корректоры: В. Петрова и А. Абрамова

Редактор T. Орловская

Заказ 1б !7 Изд. ¹ 1836 Тираж 448 Подписное

111(И11П(! Комитета во делам изобретений и открытий при Совете Министров CCCP

Москва. Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, ир. Сапунова, 2

Пример 6, Для диэлектрической пленки, содержащей 33,4 вес. % ХйзОз и 66,6 вес. %

5!аОз, берут Nd(NO>) 6НзО 3,51 г.

Пример 7. Для диэлектрической пленки, содержащей 33,4 вес. % ЯгпзОз и 66,6 вес. %

Si0, берут Ягп(ХОз) з 611 0 3,43 г.

Пример 8. Для диэлектрической пленки, содержащей 34,9 вес. % GdqO, и 65,1 вес, SiO>, берут Ис1(ХОз)з 6НгО 3,61 г.

П р н м е р 9. Для диэлектрической пленки, содержащей 49 вес, % ТЬ.|От н 51,0 вес.

SiOч берут ТЬ(ХОз) з 6НзО 3,16 а.

П р н м е р 10. Для диэлектрической пленки, содержащей 35,5 вес. % ЭуаОз н 64,5 вес. %

SiO2, берут Dy(NO>) з 5НаО 3,47 г.

П р н м с р 11. Для диэлектрической пленки, содержащей 36 вес. % I:гзОI н 64 вес. %

S iO2, берут Ег (МОз) з. 6НзО 3,67 г.

Пример 12. Для диэлектрической пленки, содержащей 36,9 вес. % УЬзОз и 63,1 вес. %

$!Оз, берут Yb(NOg) g 4НзО 3,47 г.

Получениь!е пленки имеют толщину 0,1—

0,3 т!к, неравномерность о толщине составе ляет +-100А.

Способ изготовления диэлектрических плеIIoI< ll3 основе oKIIcля металла и кремнезет1я, отлича!ощийся тем, что, с целью сокращения времени получения беспористого пленочного

15 слоя, диэлектрические пленки получи!от нанесением ня полупроводниковую пластину пленкообразующего раствора, состоящего из смеси кремнсэтилового эфира ортокремниевой кис7oTbl с 17 pocTblM H сп ! рта 1 ! 1, B KQTo p YIO BBQ+HT

20 язотнокислую соль металла III группы пер Ioдической таблицы с последу!ощей термодеструкцией пленки при 700 — 800 С в течение 30—

60 сек.