Способ цементации галлия
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ПШ- . ;Г;"-:,Ыби библиотека МЬА
Союз Советских
Социалистических
Республик
ОП ИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (и) 324879 (61) Дополнительное к авт. свнд-ву (22) Заявлено04,12.69 (23) 1382063/22-01 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано15.05.78.Бюллетень № 18 (45) Дата опубликования описания 22.04.78 (5l) М, Кл.
С 22 В 61/06
Государственный комитет
Совете Министров СССР ао делам изооретвннй н открытий (53) УДК 669-871 48:
: 621.7 85.5 1. 066. . 65(088.8) Р, В. Иванова, А. А. Бельский, Н. А. Новиков и Н. Н. Алексеева (72) Авторы изобретения
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометалпической промышненности (7!) Заявитель (54) СПОСОБ БЕМЕНТАБИИ ГАЛЛИЯ
Изобретение относится к области гидрометаллургии.
Известен способ цементации галлия галламой апюминия, по которому цементацию проводят в условиях механического перемешивания галпамы, что не поддается высокой интенсификации из а явлений кавитации и разбрызгивания.
Отпичие предложенного способа состоит в том, что цементацию проводят с электро- lo магнитным перемешиванием при напряженности магнитного поня 1500-500000 A/ì и частоте 10-300 Гц. Дто позволяет повысить эффективность процесса.
Опыты показывают, что без паремеши- l5 вания галпий в течение 15 мин практически.не выделяется иэ раствора; при ламинарном движении выдепяется за то же время
З0%, при механическом - 78%, при эпектромагнитном — 93г> гаппия. Дальнейшее уве- 20 пичение интенсивности перемешивания практически не изменяет скорости цементации.
Экспериментаньные данные показывают, что для определенной высоты гаппамы сушествует . оптимапьное значение напряженности магнитного поля в исспедуемом интервапе высоты гапиамы (1-100 мм), обратно пропорциональное высоте споя.
Формуиа изобретения
Способ цементации гаппия из апюминатных растворов гапламой алюминия, вкпючаюший перемешивание, о т и и ч а ю ш и йс я тем, что, с цепью повышения эффективности процесса, осушествляют электромагнитное перемешивание при напряженности магнитного поля 1500 500000 Аlм и частоте поля 10-300 Гц.