Патент ссср 325908

Патент ссср 325908

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

88е<-е,;. н

Еаf - Н1 w.... .°,,а о и егР А- н-и е

ЙЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (п)325908

Совхоз Советских

Социалистических,Республик (б1) "-:àâèñII. ое от авт. свидетельства (22) Заявлено 30.04.70 (21) 1437665/26-25 (51) М. К:. H 01l 3У20 с присоединением заявки ¹.Гасударственный камнтет

Сената Миннстрав СССР аа делам изабретений н открытий (32) Приоритет

Опубликовано 05.04.74. Бюллетень X 13

Дата опубликования описания 16.09.74 (53) УДК 621.382.2 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. П. Дураев, Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, В. И. Бородулин, Д. 3. Гарбузов, Е, П. Морозов, Е. Л, Портной, Г. T. Пак и В. И. Швейкин (71) Заявитель (54) ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

ПРИБОРА

Предмет изобретения

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, а именно к способам изготовления полупроводниковых приборов на сснове твердых растворов соединений А" В .

Известные омические контакты к полупроводниковым приборам на основе указанных соединений создаются методами вакуумного напыления, химического и электрохимического нанесения металлов. Металлы для омического контакта подбираются таким образом, чтобы контакт был невыпрямляющим и име1 наименьшее сопротивление.

Однако при использовании золота, индия, никеля, платины и других металлов не всегда можно получить низкоомный контакт, например к GaI,- Al.,-As, нашедшему широкое применение в изготовлении таких приборов, как полупроводниковые инжекционные квантовые генераторы и светоизлучающие диоды.

С целью получения низкоомного омического контакта к Любому твердому раствору предлагается на соответствующей поверхности полупроводникового прибора перед нанесением металла создавать слой высоколегированного арсенида галлия, тип проводимости которого совпадает с типом проводимости примыкающего к нему слоя твердого раствора.

3а счет диффузии легирующей примеси из арсенида галлия в период наращивания удельное сопротивление приконтактного слоя твердого раствора уменьшается. Кроме того, при

5 наращивании арсенида галлия снимается окпсная пленка с поверхности твердого раствора.

При изготовлении лазерного диода с контактом, выполненным согласно изобретению, 10 можно получить увеличенный к.п.д. излучения, так как для GaAs и твердых растворов на основе GBAs — A1AS работы выхода электронов практически равны.

Омпчсский контакт полупроводникового прибора на основе твердых растворов соеди20 нений АгцВ, например тройного соединения

GaI,-А!,-Аз, содержащий металлический слой, отличающийся тем, что, с целью снижения его сопротивления, между металлическим слоем и полупроводниковой основой прибора

25 имеется слой арсенида галлия такого же типа проводимости, LITQ и примыкающий Ii нему слой твердого раствора.