Патент ссср 326915

Патент ссср 326915

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

3269! !) М >7 ("7ив.2

Состави ель О. Фе)с!овина

Тгхрсд Т. Курилко (iii<то,! T. Орловская

Корректор В. Гутман

?е.;и» 2!2/474 Изд. № 1712 Тираж 760 Подi! с,сг

III-IIIIIIIII Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

/>4огква, 7К-35, Рау!искап и".á., д. 4)5

Тип. Хары<. Фил. пред. «Патент»

B H 7I h l l 0 i и О !) 0 и и< си Jg H l< I I O I< H 3 I>I B и 10 Т 3 K C (i C p Iмcнт«!.1 i>! Iыс I! Сл(. XO";3(1 !!1! 51, .Iclвлсl((с 1 «> J)ОВ

Дпф(;i, 3«(п (1 В 3«! JOP(. i СТ«(И313ЛИВЯСТС51 Оil(!(f> быст:) О. =)TH(A! и!)С(О ГБр «1 щястся и05(Влси !1с неровностей фронта диффузии в местах нс!юсредствспного контакта пластин и местах, где

С О П P 1! К О С f! 0 В С И . 51 И С Т.

1x,")IJIIcHTpHJI,ия ди(()(1)узаит(! 33îòíîi<èñëîãî алюмишгя при (:тсутствии кислоро 3 r 3 зонс.

Днф() ÇI!il 5(ВЛ5!СТС 5! HOCTOH«li!Olf И СОСТ«!.!. 15(СТ

0,01- 0,1в) в.

П!),! конце!!тряции 330тнокис. IОГО «1:Ilоминия больше 0,1% а полированной иовср иоCTH 1;РС)(Н1!51 ИОЯВЛЯIОТСЯ P33801(>I> Т. С. 1!!>1 !Cля((TcH )ки)(к((я фаза If Окисш>lи слои SIO2.

При 0! Iflc 1>(JJHck.!oì способе чсрсдовяппсм пластин уст!) 3 и 5(стся сдуВя«1ис п«1 ()013 а.!!03111f) H 00 ICil

Вли5!Иис cKopo(òH потока HH Вс,lи!!1!!Iу lioi3cjixпостной концеитрац«!!1, улучшается се рас—

ПРСДС (СИНС IJO ИЛОИ(ЯДИ И BÎCHPOI!ÇBOÄÈ,10(Тl> параметров /)--и-переходя.

7ТОТ СИОСОО Ъ!0)КСТ i1РИМСИ5(Т!>C51 Hf) И llf)0ведеиии одновременной дифсрузии В полированные и шлифованные пластины для !юлучения симмстри Jffhix /7 — -и — /7-структур ири пОслс :(Овятсльио)(f(я((ссснии;(и(1)(!)узя«!TH НH ка)кду!о из сторон пластины-источника для

ПОЛ У !! С H H H Я С И 7> 7>! С Т Р И >1 ! Ь! Х /7 — !г — /7- С Т Р У К(У >!)

И, КР03(C ТОГО, ДЛ51 !!ОЛУ"IСН! Я СТУПСП IЯТЫХ

/7 — )г-i !c f) ñxoäOB ИУт(. м,"! ОкаЛ Ьной М «IСК! If) 0 В1<п поверхности толщиной окисла <5!О, зядср)кивающей диффузию ня рсгу,1ирусмос Время.

ВОЗмо)к по м НОГoi30!3«1 и ис пластин-источников с иромсжуто шой мсхЯИИ IсскОЙ и x!l)IHilccJ)T!

ИОI)ТООНЫМ ИЯНСССНИСМ Д1!ффУЗЯИТ 1.

Предлагаемым способом мо кио получать б icTpo;)cÉcTBylo(HI!e высо!<Овольтные

)г — /7-структуры. При этом созда!от асимметричнуюую /) — )г — р-структуру в (олированной с

;(ВУХ СТОРОН ИЛЯСТИПС КРЕЗ(«!ИЯ, IJHHPH.

10 /7-слое с более мелким за1erH((i!c(1 /7 — и-пс)сJ хода со3 1310Т внец!Нпй «-c 1011, ил Ястину иодшлифОВ iBH!oT, нс «!Я р3 ШЯЯ (J)po«(т«1 /lи(!)(j)узии, а затем одним из известных

cIIoc0o0I3 получают омическис контакты. !

Предмет изобретен. is! !. Способ Н0.1 HCHHH H01, ilpOBO.(пиковых

CTP) 1<ТУJ) ДпффУЗИЕй «IТОМОВ ЯЛ 10.;1ИНИЯ ИЗ СГО

co;IcII в полированную крем!(исвую пластину

20 в атмосфере инертного газа из источника диффузшl, например шлифованных кремниевых Ilëàñòèí, покрытых раствором диффузанта, отли!(а)<)щиггся тем, !ТО, с целью улучшения электрических и временных хярактерис25 тик приборов, обрабатываемые I!,13CTJI(Jû !средуют с источниками диффузии, причем расстояние ме)кду источником диффузии и Ilëàñтиной постоянно и не превышает толщину ил астины.

30 2. Спосоо по п. 1, отли!(а)ои,ийт тем, что, с целью обеспечения гомогенности и идентичности свойств,k (с!)(!)3зиопных слоев на бол!шой площади пластииь(, концентрация диффузянта B растворе, на!!Ссси!ив! Н3 пластину35 источник диффузии, составляет 0,01 — О,!,;;.