Способ сборки интегрального микроузла

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

327888

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства .й

М. Кл. Н 05k 13/04

Заявлено 07.Х.1969 (№ 1366056/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 15.Ч.1972. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 10.ЧП.1972

Комитет па делам иаобретеиий и открыти.. при Совете Министров

СССР

УДК 621Л.049.75(088.8) Авторы изобретения Ф. Г. Старос, А. Л. Харинский, С. С. Кузнецов, А. М. Скворцов и

Л. М. Норкин

Заявитель

СПОСОБ СБОРКИ ИНТЕГРАЛЪНОГО МИКРОУЗЛА

Изобретение относится,к области радиоэлектроники, а именно к технологии произ водcTiBB интегральных полупроводниковых микросхем.

Известный способ сборки ичтегрального мик роузла при монтаже микросхем в Д1Ркорпусе цредполагает следующую последовательность рабочих операций. Полупроводниковую пласти ну со схемой (изпо товленной, напри мер, планарным епособом) методом «обращенного кристалла» уста на вли вают на коммутационную плату с линиями, внешними и внутренними контактами, B,âèäå площадок, при навевают все выводы, затем на плату Накла дывают металлическу,ю рамочку с внешними вывода ми, которые lIIpHIIIBHвают к внешним контактным площадка:м коммутационной платы. Далее схему герметизируют в корпус, напр имер, опрессовывают пластмассой, после чего ра мку обрезают.

Основным недостатком такого способа я вляется большой процент бра ка в процессе сборк|и из-за многочисленных хтехани чески|х и температурных воздействий на схему, приводящих к сд ви гу или обрыву контактов, изменению пара метров митороузла. Кроме того, мала надежность контакта, что проявляется при о прессовке схемы пластмассой или заливке ее

Koi>IiIIBQндом, а производительность способа ника из-за трудности полной автоматиза цист п, р о цесс а.

Цель .изобретения- повышение выхода годных иа делий, а также повышение производи5 тельности сборки.

Цель достигается тем, что рамку с IBbllBîäBми выполняют с дополнительным металлтсчес ким колпачком, который накрьпвает схему при операции наложенная pBMIKH на коммутацион10 ную плату.

На фиг. 1 схематически изображена ко ммутационная плата интегральной схемы с контактны ми площадками и ком мутационными линиями; на фиг. 2 показана коммутационная

15 плата с и нтегральной схемой в ее центре; на фиг. 3 — гребенка, на рамке которой находятся внешние выводы и колпачок, презназначенный для защиты схемы; на фиг, 4 гребенка, наложенная на плату с микросхемой.

20 Предлагаемый с пособ прЕд полапает следующую последовательность операций. Коммутационные шины 1 H контактные площадки 2 и

8 изготовляют методо м вакуумного напыления металлов с .последующей фотогравироэкой

25 слоев. На коммутационную плату 4 устава вливают интепральную схему 5 методом «перевер нутого (или обращенного) кристалла», сов мещая контактные площадки схемы с внутренними контактнымп площадками 2 платы 4, и

30 проводят одновременно групповую пайку.Пос327888

Я РиГ 1

Уиг 5

<иГ. 2

Составитель И. Мишустин

Техред А. Камышникова

Корректор О. Волкова

Редактор И. Орлова

Заказ 2007/8 Изд. № 837 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Ти пография, пр. Сапунова, 2 ле это го на коммутационную плату 4 с микросхемой 5 накладьнвают металлическую гребенку б, изгопо вленную штамповкой, с внешним и выводами 7 и защитным кол начком 8. Кол пачок накл а дывается на микросхему, внешние выводы Ipei6eHm совмещают с внешни ми кон-, та ктным и площадка|ми 8 коммутационной платы 4, затем внешние IBbIBojlbl одновременно пр и паи вают к контактным площа|дка м (выводам) 3. Далее микросхему 5,герметизируют в кор|пус, например, опре ссовывают пластмассой, и обрезают,рамочку 9,гребенки.

IB процессе герметизации микросхемы колпачок 8 защищает и|нтегральную схему 5 от возможного сдв и га или отры ва от внутренн их площадок 2. Это п овышает надежность микроcxeIM и уменьшает перо цент бра ка. Одновремен но кол пачок защищает микросхему от климатических воздей стви и и является электрически м экрано;м.

BIce перечисленные процессы могут быть полн остью автоматизи рованы.

5 Предмет изо бретения

С1пособ с борки интегрального микроузла, аключающи и операцию соединения полу про води иковой пластины со схемой методом «0610 ращенного кристалла» с то коведущи1ми дорожками коммутационной платы, на которую затем накладывают рамку с внешнимтв выводами, припаиваемыми к внешним контактным площадкам коммутационной платы, с после15 дующей гермети зацией в;кор пус, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годHbIIx издел ий, после монтажа на плату схему накрывают металлическим кол1пачком, расположенным на рамке с внешними выводами.