Патент ссср 327942

Патент ссср 327942

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 327942

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистичесннх

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 12.Х11.1968 (№ 1289042/22-1) М. Кл. В Olj 17/10 с присосдпт стптсвт заявки №

Приоритет

Опубликовано 02.11.1972, Бюллетень № 6

Комитет ио делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

УД К 669.782.4:621.039. .337.531.717 (088.8) Дата опубликования описания 22.1II.!972

ФЩ

Авторы изобретения

Н. И. Аутеншлюс, В. В. Добровенский, A. Я. Збарский и И. Л. Шендерович

Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИ P ЕДМ ЕТ»

Заявитель

СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО РЕГУЛИРОВАНИЯ ПРОЦЕССА

КРИСТАЛЛ ИЗАЦИИ В УСЛОВИЯХ БЕСТИ ГЕЛЬНОЙ 3OHHOA

ПЛАВКИ

Изобретение касается области полупроводникового производства и может быть использовано при выращивании кристаллов методом бестигельной зонной плавки.

Известен способ автоматического регулирования процессом кристаллизации методом бсстигельной зонной плавки, осповатшый па измерении поперечного сечения зоны. Однако известный способ обладает тем недостатком, что при регулировании не учитывается информация о состоянии зоны в наиболее узкой ее части.

Цель изобретения — повысить точность регулирования при формировании кристаллов заданного диаметра.

Для этого производят измерение вблизи границы кристаллизации и в узкой ее части и управляют мощностью энергии, подводимой к индуктору, и положением механизма растяжения-сжатия зоны.

На чертеже представлен вариант радиоизотопного способа измерения.

Одновременно производится измерение двух поперечных сечений зоны вблизи границы кристаллизации и в наиболее узкой ее части. Для этого могут быть использованы радиоизотопные, фотоэлектрические способы измерения.

Внутри рабочей камеры 1 расположена заготовка 2 материала. Расплавленная зона 8 создается высокочастотным пндуктором 4.

Верхняя часть заготовки является подплавляемой, а нижняя — крпсталлпзуемой, Гамма-излучение or источника 5, пройдя

5 через соответствующие участки расплавленной зоны, попадает в приемники 6 радиоактпвного излучения. Прн этом верхний и Ilнжнпй пучки лучей проходят соответственно сквозь расположенные вблизи пндуктора

10 участки расплавленной зоны (птейку), и границы расплав — кристалл.

На основании информации приемников 6 управляют мощностью энергии, подводимой к индуктору, и положением механизма рас15 тяжения-сжатия зоны соответственно через регуляторы 7 и 8.

Предмет изобретения

Способ автоматического регулирования

20 процесса кристаллизации в условиях бестигельной зонной плавки, включающий измерение поперечного сечения зоны, отлнчающийся тем, что, с целью повышения точности регулирования прп формировании кристаллов

25 заданного диаметра, измерение поперечного сечения зоны производят вблизи границы кристаллизации и в узкой ее части и управляют мощностью энергии, подводимой к индуктору, и положением меха изма растяжения-сжатия

30 зоны.

327942! !

Составитель В. Лейбович

Техред 3. Тараненко

Коррекгор О. Волкова! сдактор Т. Фадеева

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 668/9 Изд. № 191 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская паб., д. 4/5