Патеяш-техннческая библиотека 1

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистических

Республик

-д(" 3а/

Зависимое от вы. свидетельства ¹

М. Кл. С 23с 3/00

С 23Ь 5,64

Заявлено 11 VI.1970 (№ 1447083 22-1) Комитет по делам изобретений и открытий при Соеете тлииистрсс

СССР

УДЫ 621.793.3(088.8) OII3 блн кона но 02.11.1972, Б(оллетень ¹ 6

Дата опубликования описания 23.III.1972

ВСЕСОК) 3 у я

ПАТЕВТЙНЕХИИЧЕМ

БИБЛИО ЕКА

Авторы изобретения

С. Я. Криволапов и А. П. Бушмин

Кубанский сельскохозяйственный институт

Заявитель

СПОСОБ МЕТАЛЛИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКОВ с присоединением заявки ¹

Hp иоритет

Изобретение относится к области нанесения металлически.; покрытий кимическим ciiocoбом.

Известен способ металлизации диэлектриков, включающий сенсибилизацию, актива- 5 цию, кимическое осаждение металла.

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что на поверхность диэлектрика после активации наносят светочувствительный слой ортокинондиазидов в органическом ра«- 10 творителе с последующим ai(c(lo((I(po(3aII»c» нзооражения и проявлением.

;=) (о позволяет осуществлять избирательную мсталлнзацшо и повысить про шость сценлсН ! Я Н О К Р Ы Т!! Я С 0 «110 В О и . 15

Проявление изображения осуществляют либо в водном растворе щсло:ili, либо (3 Воде.

Поверхность диэлектрика сенсибнл пзируют, активируют, наносят светочувствитсльный слой ортокинондиазидов в органическом рас- 20 творителе и экспонируют изооражение. Затем изображение проявляют путем обработки (IO(Зеркности в воде или водном растворе щелочи, в результате чего с участков, подвергшикся действию света, удаляют светочувстви- 25 тельный слой.

После проявления проводят процесс кими («СКОГО Осаждения металла. Оса кдснис мс1алла происходит только на участка.;, свободнык от светочувствительного слоя. 30

Пример. Проводят избирательную металлизацшо пОверкностн диэлектрика по следующей текн01огической скеме. Обезжир ивают г 1 — 2 о)с -ном растворе препарата

ОП-7 при температуре 50 — 60 С в течение

5 — 10 (22222. Промывают в горячей и колодной

Воде. Сснсибп (In»py(0T в растворе, содер)кащем 10 г, .2 хлористого олова. Промывают В ко;(одно)! Воде. Акт!I(3(ipb (oT I3 (раствор«> содсрЖ (пц«.>! О, э г, .2 к, !Op(I(TOi О IIH.1.(ади(1. I HIIOCI(T

cI)«т0>(3 (3«тВ((тсл(>(!!>(н «, (ОЙ та .>(!!Оно >! В.1и н>>>T c м I I o I ) ) 3 "æ «! (и я н 3 д «,1 IH В р и «т (3 О (), c 0,1, «p ) I ащнн: npr<)a(!I(I)(iдиа1!Iz(1О г, i)!Opîôîðì (i!1II

a;!«To») 100 (2.2..-)кспоннрук)т (гзображ«нпе в т("(сll(IC > — 5 В(2:н. В к(1 (««Ò« ll«ГО>пи(к((с!(ВТа испол»з, ют лам((СВД-1 )0. Проявляют в

5--2)1 ",,) -ном ра("г(30рс гп.-(роок((«и аммония !

11(! 1! I()«!)с дст(3«(i!10 Г В2(((!с пp«дВар((T< ..1(>ного ки)(((>!«Оного ппкслирования.

XII3lII I«Г oc нике«(и))овани« IIPO(30;(!IT В (це;10 -пк)м растворе, содсржащ«м, г и:

I I ш с:I ь кл о р и с ты и 50

Никель с«рнокнслый 20

Гипофосфит натрия 20

Натрий лнмош(окислый 50

Аммон((й клорпстый 50

Рвет(301) а" м;ака (25 ",о-ный) 40 .(!.2 и процесс 33«;д т прп pl-I 8 — 9 н T«»(icpaTyp«

80" С.

328213

Составитель P. Ухлннова

Техрсд Л. Куклина

Редактор О. Юркова

Корректор Н. Шевченко

Заказ 536/9 Изд. ¹ 202 Тираж 448 Подписиос

Ц11ИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров ГГГР

Москва, 3К-35, Раушскаи иаб., д. 4, 5

Типографии, ир. Сапунова, 2

Осаждение никеля происходит только иа участках поверхности, свободной от светочувствительного слоя.

Предмет изобретения

1. Способ металлизации диэлектриков, включающий сепсибилизацию, активацию, x;Iмическое осаждеиие металла, or>Ianna>ou(uIicsI тем, что, с целью осуществления избирательной металл изации и повышения прочности сцепления покрытия с основой, на поверх ность диэлектрика после активации наносят светочувствительный слой ортохинопдиазидов в органическом растворителе с последующим

5 IIcIIoIIH 0I33IIIII 3I II3o 13 )I eIIEIEI EI IIpo5II3ëåíèåì.

2. Способ Ilo и. 1, отлика о цийся тем, что изображения проявляют в водном растворе щелочи.

3. Способ по п. 1, отлича ощийся тем, что

1(изобра>кения проявляют в воде.