Способ получения скрытого электростатичес1|^о4^

Способ получения скрытого электростатичес1|^о4^

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 3284lI

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сактз Соеетскиз

Сориа!тистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 26.V,1970 (¹ 1442039!28-12) >Ч, Кл, 6 03т 13 00 с присоединением заявки №

Приоритет

Комите по лолам изобретений и открытий

Опубликовано 02.11.1972. Бюллетен!. № 6

Дата опубликования описагн!я З.IV.1972

3 K 772.93(0SS.S) при Сонете Миниотрое

СССР

Авторы изобретения

В. А. Макарычев и В. А. Миколайтис

Заявитель

1" ! ":I

ы и « ° и " —"

ИЗОБРАЖЕНИЯ 8 СИСТЕМЕ ФОТОПОЛУПРОВОДНИК—

ДИЭЛЕКТРИК

Предмет изо орете ни я

Изобретение относится к электрофотографии.

Известны способы формирования скрытого электростатического изобра>кения в системе фотополунроводник — — диэлектрик, основанные на пер ено" е скрытого электростатического изобра>кения через воздушный зазор с фотополупроводника на диэлектрик во время или после экспонирования.

Г1увствителтьность этого способа формирования изображения недостаточна.

Для повышения >!увствительности предложено В зазор между фотОГ10л >IpoBoднико.;1 и диэлектриком Вводить газ например азот, и выбирать такис условия переноса (веaII>!I!I!a

ГазоВОГО проъlеж)тка> даВление и т. д.), чтобы в зазоре возни!кало световое излучение, усилива!Ощее световой поток изображения.

Световое излучение, сопровождающее каждыи акт ио!Гизацин в азоте, превышает светоIIoe излучение воздушного нроме>кутка.

Способ состоит в приложении напряжения к элсктропроводным подложкам фотополупроводннкового и диэлектрического слоев, достаточного для создания предпробойного состоя- 25 ния В газовом промежутке в неосв.щеннык местак и пробоя в осве!цснн!.!к мсстак, и экспонировании нзобра>кения. Чс>кду фотополунроводниковым и диэлектрическим слоями помещают газ, например 1!зот. При этом ка>клый акт ионнзации сопровождается нзлу ГеГп!е>м 5 фотоног света.

C!!Oooo нол > ll. Вн!! >, кр! IтОГО электростатического изоб1>а>кения В cllcTO. >Ic 11!ОтонОл) Ilpo1305ник — диэлектрик, состоящий в переносе зарядов через газовый промежуток с фотополупроводни;ового слоя на диэлектрический во время:"êoïoíèðoâoíèÿ, причем слои помещены на электропроводные подложки, к которым приложено напру!>кение, достато !нос для создания нредпробойного сосгояння в газовом

IlPO .>Еж) ТКЕ В НСОС ВСЩЕННЫ:: »»IßOÒI II. ; И 11РОбоя в освещен нык участка.i, oT тн>!тоцп! c. I

Тек!, что, с целью повышения чувсгвнтсльности процесса, в качестве газа используют азот.