Способ модуляции электромагнитного излучения

Способ модуляции электромагнитного излучения

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 329499

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Cata3 Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Ч. 1хл. G 021 1100

Заявлено 18.Х11.1969 (№ 1513208!26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 09.II.1972. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 28.111.1972

Котаитет па делатв изобретений и открытий врн Совете Министров

СССР

УДК 621.382 (088.8) Автор изобретения

А. П. Мартыненко

В 1 р

Заявитель

СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Изобретение относится к области оптоэлектроники и может быть использовано прн создании модуляторов электромапштного излучения.

Известен способ модуляции, основанный на поглощении электромагнитного излучения свободными носителями заряда в твердом теле, концентрацию которых модулируют.

Недостатками этого способа являются малая глубина модуляции н большая величина начальных потерь.

Целью изобретения является создание способа модуляции электромагнитного излучения с большой глубиной модуляции и узкой полосой модул ируемых частот, лежащей в необходимой области спектра электромап|нтного излучения.

Для достижения цели используют полупроводниковый материал с определенной концентрацией свободных носителей заряда, величину которой в приповерхностном слое модул ируют известным способом, модул ируя интенсивность отраженного от этой поверхности электромагнитного излучения, частота которого равна плазменной частоте свободных носителей заряда в материале.

Способ основан па явлении плазменного резонанса в полупроводниках, которое характеризуется изменением отражательной способности поверхности от 0 до 1 для излу№ чення частоты сор — — при увелнче11L -О(-L — 1) нин концентрации свободных носителей в скин-слое на единицы проценгов от равновесной.

К преимуществам способа можно отнести большую глубину модуляции, обусловлсннио острым плазменным резонансом, и малые на10 чальные потери, так как н1ггенснвность неослаблешюго модулятором излучения практическии равна интенсивности создаваемого генератором излучения.

П р н м е р. В полупроводниковой пленке

15 дшгамнческн изменяют (не изменяя ее состава и структуры) концентрацшо свободных носителей заряда (например, ннжекцнсй носителей заряда через р-и-переход илн световым импульсным возбуждением).

20 Увеличение в девять раз концентрации свободных носителей безьшерцнонно сдвигает спектр R(

25 Прн этом отражательная способность поверхности пленки для излучения частотой в„увеличится в несколько раз.

Инерционность способа определяется инерционностью источника, возбуждающего полу30 нроводннковую систему.

Предмет изобретения

Способ модуляции электромагнитного излучения путем изменения концентрации носителей в полупроводнике, отличающийся тем, что, с целью повышения глубннь. модуляции, поверхность полупроводника облучают электромагнитным нз Ii «cII;Ie» с частотой, равной частоте плазменного резонанса плазмы в полупроводнике, и путем изменения концентрации носителей заряда в прино5 всрхностном слое модулируют интенсивность отраженной от поверхности электромагнитной волны.

Составитель А. Кот

Корректор Е. Чироиова

Типография, пр. Сапунова, 2

Редактор Т. Орловская Техрсд А. Камышникова

Заказ 715/12 Изд, ¹ 251 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по дслам изобрстеиий и открытий ири Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5