Способ получения пленочных преобразователей

Способ получения пленочных преобразователей

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОГП>ГСА И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

СоЮз Ссаетскиа

Социалистических

Реслублии

Зависимое 0" авт. свидетельства М

Заявлено 11.1Ъ .1970 (№ 1424555/26-9) М. Кл. Н 03h 3/00 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликоьапо 09.11.1972. Бюлле(е )ь Л 7

Дата опубликования описания 27.111.1972

Комитет ао дела(е изобретений и открытий ори Совете Министров

СССЕ

УЛК 534.232(088.8) Авторы изобретения

А. В. Шибаева, Г. И. Попко и 10. M. Щербак

ЗляВптель

Белорусский ордена Трудового Красного Знамени Государственный университ т имени В. И. Ленина

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ

УЛЬТРАЗВУКА

Прс >!мст пзооретения

Изобретен))е относится к технолог iii изготовления пьезоэлектрических элементов и мо>кет быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических приборов на базе текстурированного поликристаллического селена. 5

Известен способ получения пленочны.; преобразователей ультразвука, основан>ный на вакуумноъ! напылении материала. Однако технологический процесс напыления пленок известным способом довольно сложен и Iie 10

Всегда приводит к желаемым результатам, при этоз! сложность получения достато>1110 толстых ориентированных пленок огранпчивает снизу предел собственных частот.

Целью изобретения является повышение 15 надежности и устой гивости преобразователей к механическим воздействиям и упрощение технологии изготовления. Достигается это тем, то в качестве папыляемого матерна чл и"

1)ользустся сел,l. 20

Предложеllill ill (iiOCOO 10 I>>"!«II!I)I II IC!!0 - пых нреобра ОВлтел(>й ультразвука закл)очлстся i3

«ледующем. ! 1Л TOpl! I I Звуко):fp01307Л пз 31311!IITf>O-Л, 1!03!,1 ие)3ого сплава в вакууме iI p H давлении 25

10-" !В)! рт. ст. напыляют бипленку алюмини1! — Висмут, служащую нижни;! электродом. После этого, не нарушая вакуума, наносят раоочий слой — тригональный текстурированный селен чистоты 99,999%. При напы- 30 лен>ш селе.ià температуру стержней (подложки) поддерживают постоянной +80 С, прп этом пленки селена получаются аморфные, Далее па открытую поверхность селена наноcят (напыляют) Верхний электрод, представляющий собой биплепку висмут-алюминий, при этом пленки висмута, примыкающие с обеих «rnpoil к слою селена, обеспечивают к011тл!(ты элск 1 родоi> с селевом, бл!гзт 1!е х п X1I I «C C;(I 3>1.

ПО ле нанесен,)я Верхнего электрода лморф111>IC if, 1«11 Ê1! «С. !(. il il КР И«ТЛЛЛ113ИРУ!О ГС)1 В 1303ду11)пой среде при тез!ператур«160 — 180 С в тс 1«нпе двух !л«013. Такой интервал тезгпера3 ур Крис ТЛЛЛ и i;lii 111! яВЛяЕт«я ОПтиМ аЛЬНЫМ для оорлзованпя наиболее четкой пьезоэлектрической текстуры нужного тппл при рлз!! 11 Ч П Ы Х Т О:I I I I I i 13 H X П Л Е П О К .

Тлким Образом, предложенный спо«об иол3 l c I I !1 !1 1! л с l i o > I i l l >! х l I p c О () р;1 3 о в л те, c l I у:l l > I 1);I 3 В yi(ii О Г. 1 ii 1<)С 1 «ß ll i! ((0>К ПОС 1 Ь|0> 1 СсХ1)ИЧСС КОй 1100сто гÎй, л 1)реÎбрлзовлтелп, по Ió>!«ííl ic 11. )

IIpC;!.10>1(C1)1103!3 «110«Обу, у(ТойчИВЫ l(мехЛIIll 1(. (К!!31 1>03ДС -й(Г13 f! ß>I.

С: 0Loo получс;11!1 пленочных преобр 130>3 3cëåé ультразвука, основанный на вакуумном

329653

Рсликтор Г,. Лссятов

Корi1ñêò )p O. Т7ооги7а

Заказ 716 14 и! ° т 7,"о Ров Гиря гк 4 18 Г1о, Illii fiCj0

11IIlii11 11 1<о ;и гс7;! ио аслот! изобрстс!!ii,i и о! ри!п!, .;!»i 1 оис:с Ми! истрои С.Г.C I

Москис, )К-35, Рити!ски5!;iиб., 70 -1, ) Тии гсоигаии. пи. С:. и, иоии 2 и и и !.1лсill!11 !1

Ро !СИСТ!I !iil.,i, !i Г11 1<те 3 !i 1! О1! !CI I I!11 ТЕ ПОЛО! П!!

ИСИОТОВЛС.1!1я. В КанестВС:г.,ОЛИНОГО МатЕрнаЛ,1 !

0 11, 1 ° !0 i CC.ICII