Способ выращивания монокристаллов кремния

Способ выращивания монокристаллов кремния

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ва °

ОписАн не

ЗОБРЕТЕНИЯ

Ееюз Саветсинк

Сфцивиистичесиия

Республик

< " 331607

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 1708i70 (21) 1470767/23-26 (51) М. Кл.

В 01 Ю 17/18 с присоединением заявки ЭЙ(23) Приоритетf43) Опубликовано 051078.Бюллетень % 38 (45) Дата опубликования описания 230878

Государственный комитет

Совета Министров СССР но делам изобретений и открытий (53) УДК669 р 046-1 72 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н.И.Блецкан, Э.С.Фалькевич, Л.Е.Березенко, A.Âåñåëêoâà

Б.A..Сахаров и Ю.М.Шашков (7l) Заявитель (54) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

КРЕМНИЯ

Формула изобретения

Изобретение относится к металлургии полупроводников.

Известен слособ выращивания монокристаллов кремния из расплава на затравке, имеющей форму четырехгран- 8 ной призма, ориентированной в направлении (100).

Описываемый способ отличается от известного тем, что используют затравку с боковыми гранями, совпадаю- 10 щими с кристаллографическими плоскостями 100 .

Это дает возможность повысить выход монокристаллов в связи с тем, что их рост происходит более устойчиво. I8

По описываемому способу монокристаллы выращивают на затравке квадратного сечения площадью 3х3 мм, вырезанной из монокрнсталлическнх слитков. ориентированных в направлениях

fill) и (100) . Вытягивание производят обычным путем.

Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава на затравке в виде четырехгранной призма, ориентированной в направлении (100), о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью повышения выхода монокристаллов, используют затравку, боковые грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями(100.