Селектор длительности импульсовtsfjmouru^hahплт:нтйо^г::х|ш1есг{дябиблиотека

Селектор длительности импульсовtsfjmouru^hahплт:нтйо^г::х|ш1есг{дябиблиотека

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

333690

ОП ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Соеетекил

Социалистические

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 05.VI I 1.1970 (№ 1463843/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21111.1972. Бюллетень № 11

Дата опубликования описания 10Х.1972

М. Кл. Н 03k 6!00

Комитет ле делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.374.33(088.8) Авторы изобретения

М. А. Ананян и Е. Б. Алексеев

Заявитель

Московский ордена Ленина энергетический институт

СЕЛЕКТОР ДЛИТЕЛЬНОСТИ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к области радиотехники (полупроводниковой импульсной техники).

Известная схема селектора длительности импульса, содержащая входную цепь, интегрирующую RC-цепочку, пороговое устройство, выполненное на транзисторе и стабилитроне, и транзистор, необходимый для уменьшения времени восстановления селектора, имеет несколько недостатков. Основными из них являются: относительно высокое значение нижнего предела длительности селектируемых импульсов и невозможность работы при малых уровнях входного сигнала (уровнях порядка десятков милливольт).

Цель изобретения — создание простого н высокочувствительного устройства, селектирующего импульсы по длительности в широком временном диапазоне.

Поставленная цель достигается тем, что в схему селектора введен туннельный диод, шунтированный переменной емкостью, причем коллектор выходного транзистора через последовательно включенные конденсатор и диод соединен с анодом туннельного диода. Туннельный диод имеет весьма стабильный и сравнительно мало зависящий от температуры порог срабатывания, что позволяет значительно расширить динамический и временной диапазоны селектируемых импульсов.

На чертеже приведена схема селектора длительности импульсов.

Селектор содержит туннельный диод 1, транзистор 2, резисторы 8, 4, 5 и б, конденсатор 7, диод 8 и переменный конденсатор 9.

Туннельный диод 1 своим катодом присоединен к общей шине, его анод соединен с базой гранзистора 2, резистор 8 включен во входную цепь, резисторы 4 и 5 соединены с положительным полюсом источника питания +Е, резистор б заземляет среднюю точку цепи из конденсатора 7 и диода 8, включенной между туннельным диодом 1 и коллектором транзистора 2, эмиттер которого заземлен, а база соединена с переменным конденсатором 9.

В исходном состоянии рабочая точка туннельного диода 1 находится на туннельной ветви его вольтамперной характеристики, транзистор 2 закрыт, так как потенциал его

20 базы (падение напряжения а туннельном диоде 1) недостаточен для прямого смещения перехода эмиттер-база. Напряжение на коллекторе транзистора 2 равно +Е. При поступлении входного сигнала происходит заряд переменного конденсатора 9, что предотвращает переключение туннельного диода. Если длительность входного импульса мала, то переменный конденсатор 9 не успевает зарядиться и транзистор 2 остается закрытым. Если же

30 длительность импульса на входе схемы тако333690

Составитель И. Мишустин

Техред Л, Богданова

Корректор Е. Миронова

Редактор Л. Мазуронок

Заказ 1348/15 Изд. № 574 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 7К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 ва, что переменный конденсатор 9 заряжается до некоторого порогового напряжения, определяемого туннельным диодом 1, последний переключается в другое состояние (его рабочая точка переходит на диффузную ветвь вольтамперной характеристики). При этом потенциал базы транзистора 2 возрастает, транзистор открывается, а перепад напряжения на его коллекторе (выходной импульс схемы) через конденсатор 7 и диод 8 одновременно поступает на туннельный диод для «сброса».

Переменный конденсатор 9 быстро разряжается через малое сопротивление туннельного диода, и схема подготавливается к приходу нового импульса. Так как конденсатор 9 является переменным, то изменением его емкости устройство может быть настроено на отработку входных сигналов (импульсов) различной длительности.

Схема проста в настройке, имеет небольшое количество деталей, надежна в работе. Коэффициент перекрытия импульсов, селектируемых ею со значительной точностью, может превышать 10 . Схема способна срабатывать от импульсов с амплитудой в несколько милливольт.

ТО Предмет изобретения

Селектор длительности импульсов, содержащий туннельный диод, включенный в цепь базы транзистора, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства, параллельно туннельному диоду включен переменный конденсатор, а коллектор транзистора через последовательно включенные конденсатор и диод соединен с анодом туннельного диода.