Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
334997
О П И С А Н И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€”
Заявлено 25. т/111,1969 (№ 1358655/22-1) с присоединением заявки №вЂ”
Приоритет
Опубликовано .11 1Ч.!972. Бюллетень № 13
Дата опубликования описания 12.V.1972
М. Кл. В Olj 17/32
Комитет пп делам изобретевий и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 669.782.094.1/2 (088.8) Авторы изобретения
С. И. Гашенко, Б. Д. Девяткин, А. Г. Петрик, Ю. С. Дементьев, И. М. Тимченко и Г. Г, Сазонов
Заявитель
СПОСОБ АВТОМАТИЧЕСКОГО УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ
ПОЛУЧЕНИЯ ЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ
Предмет изобретения
Изобретение относится к способам полупроводникового производства и может быть использовано при получении поликристаллического кремния.
Известен способ автоматического управления процессом получения чистых материалов из газовой фазы с осаждением на твердую подлонкк, t tto I310U1HII автоматический 110НсК и поддержание оптимальных значений входных параметров.
Однако в таком способе исключен важный параметр — давление газовой фазы в объеме реактора, что существенно затрудняет оптимальное управление процессом реакционной зоны.
Целью изобретения является увеличение скорости осаждения, например, поликристаллического кремния на твердую подложку.
Для этого по предложенному способу поиск экстремума производят с учетом давления газовой фазы в реакторе.
На чертеже приведена структура системы автоматического управления для реализации предложенного способа управления.
Избыточное давление газовой фазы в реакторе 1 измеряется с помощью датчика 2, выходной сигнал которого подается в вычислительное устройство 8. Используя информацию о состоянии других переменных технологического процесса, вычислительное устройство формирует задание для корректирующего устройства 4, которое через исполнительный механизм 5 поддерживает заданное оптимальное
10 давление в реакторе.
15 Способ автоматического управления процессом получения чистых материалов из газовой фазы с осаждением на твердую подложку, включающий автоматический поиск и поддержание оптимальных значений входных па20 раметров, отличающийся тем, что, с целью увеличения скорости осаждения материала, измеряют давление в газовой фазе, определяют экстремум давления газовой фазы и регулируют давление в реакционной зоне.
334997
Ларог смесь
Составитель Н. Абросимов
Редактор Е. Братчикова Техред Т. Ускова Корректор А. Васильева
Заказ 1402/7 Изд. № 596 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2