Способ измерения напряженности магнитного поля

Способ измерения напряженности магнитного поля

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАН И-Е

ИЗОЬЕЕТ ЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

335652

Союэ Соеетских

Социзлистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17.V111.1970 (Ko 1467497/26-25) М. Кл. G Olv 3/14 с присоединением заявки №

Приоритет

Номитет по делом изобретений и открытий при Сонете Министрое

СССР

Опубликовано l l,lV.1972. Бюллетень № 13

Дата опубликования описания 17.V.1972

УДК 550,838(088.8) Авторы изобретен гя Н. H. Лебедев, В. М. Григорьев, Н. В. Клочек и Н. И. Кобанов

Заявитель Сибирский институт земного магнетизма, ионосферы и распространения радиоволн Сибирского отделения АН СССР

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ НАПРЯЖЕННОСТИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к способам измерения напряженности магнитного поля астрофизических объектов, а также квазистационарной лабораторной плазмы rro зеемановскому расщеплению спектральных линий.

Известен способ измерения напряженности магнитного поля по зеемановскому расщеплению спектральной линии, основанный на пространственном разнесении противоположно поляризованных компонент расщепления.

Недостатком этого способа являются низкая чувствительность и систематические ошибки, обусловленные инструментальной поляризацией.

Предложенный способ отличается от известного тем, что лево- и правополяризовапные по кругу, компоненты зеемановского расщепления превращают в линейно поляризованные, производят пространственнную модуляцию взаимного расположения компонент в направлении дисперсии и измеряют колебания светового потока, пропорциональные напряженности магнитного поля.

Предложенный способ позволяет увсличить чувствительность измерения напряженности магнитного поля не менее чем в 10 раз.

Схема, реализующая предлагаемый способ, представлена на фиг. 1, 2.

С помощью электрооптпческого кристалла 1 право- и левополяризованные по кругу компоненты зеемановского расщепления спектральной линии п ревращают в линейно поляризованные, модулируют взаимное расположение плоскостей этих компонент, а с помощью пла5 стинки исландского шпата 2, расположенной за кристаллом, разносят компоненты зеемановского расщепления на величину полушн спектральной линии. Щель т фотометра 4 располагают между разнесенньпш компонентами

10 расщепления.

Пусть напряжение, приложенное к кристаллу 1, таково, что он приобретает свойство

+ Х/4-пластинки (фи г. 1), тогда в спектре получают изображения о -компоненты слева и

15 о+-компоненты справа, которые разнесены на расстояние Мо — 2Л4„где Мp — величина пространственного разнесения пластинкой 2, Ю„, — величина магнитного расщепления.

Если напряжение, приложенное к кристаллу

20 1, таково, что он приобретает свойсгво /./4-пластинки, положение плоскостей поляризации, прошедших через кристалл 1 о.-компонент, меняется на обратное (фпг, 2) и в спектре получают изображения этих компонент, разнесен25 ных на расстояние ЛХ,+2Л/.„. Через щель 3 фотометра 4 всегда проходит световой поток от обеих компонент расщепления, причем расстояние между ними меняется с амплитудой

4ЛХ„п с частотой изменения приложенного к

30 электрооптическому кристаллу 1 напряжения, 335652

Фиг. l

+ma r

Составитель Л. Ьайдакова

Техред А. Камышкикова

Редактор T. Орловская

Корректор E. Усова о<и«<п 1!6<<< 17 11и:; . А 515 Тнракк 448 Подписное

111(!11!ГИ! Комите<а «n, <ë;< < ииобрет<иий и открытий ири Совете Мини<тров СССР

Моска», iK-J5, 1 ау<нская наб., д. 4<5

Типография, пр. Сапунова, 2 а на выкодс фотометра 4 получают электрический сигнал, пропорциональный напряженности магнитного поля.

Предмет изобретения

Способ измерения иапряжснпостн магнитного поля по зсемановскому расщеплению спектральной линии, отличаю1чш ся тем, что, с целью повышения точности, лево- и правополяризованные по кругу компоненты расщепления превращают в линейно поляризованные, llpoизводят пространственную модуляцию взаимного расположения компонент в направлении дисперцни и измеряют колебания светового потока, пропорциональные напряженности магнитного поля.