Оптико-электронное запоминающее устройство
Иллюстрации
Показать всеРеферат
33572I
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Союз Советскиъ
Социалистическиз
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 15.1.1970 (№ 1395830/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 11.IV.1972. Бюллетень № 13
Дата опубликования описания 1бЛ .1972
М. Кл. G 11с 11/42
Комитет по делам изобретекий и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 681.327.025(088.8) Авторы изобретения К. К. Ещин, Б. А. Красюк, Н. Ф. Медведев, С. С. Мескии, В. Н. Равич и А. С. Хейнман
Заявитель
ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО
Известны оптико-электронные запоминающие устройства, в которых использованы матрицы диодных излучателей, матрицы фотоприемников и носитель информации в виде пластины с отверстиями, Недостатком таких устройств является необходимость о птического совмещения носителя информации с матрицей источников света, что во-первых, усложняет сборку осттико-электронной матрицы, во-вторых, ведет к увеличению потерь световой энергии из-за неизбежных ошибок при совмещении.
Предложенное устройство отличается тем, что в нем носитель информации выполнен в виде прозрачных и непрозрачных участков на фоточувствительном слое, неподвижно нанесенном на световыводящую поверхность матрицы излучателей.
Непрозрачные участки на фоточувствительном слое создаются экспонированием слоя (с последующим проявлением и закреплением) светом диодных излучателей, входящих в матрицу излучателей, на которую нанесен слой.
Прозрачные участки образуются в местах, на которые не подействовал свет, после закрепления. Поэтому спектры излучения диодов и фоточувствительного слоя должны быть согласованы. Очевидно, что произвольная информация может быть записана только при произвольной индивидуальной выборке излучателей в матрице.
Число излучателей в матрице должно быть равно числу хранимых чисел, а число оптико5 электронных матриц B запоминающем устройстве для хранения разрядных чисел — единица, На чертеже представлено оптико-электронное за1поминающее устройство.
10 Оно содержит матрицу 1 диодных излучателей, например, из арсенида галлия. Матрица 1 вьвполнена на подложке 2 из полуизолирующего арсенида галия. P-и переходы диодных излучателей 8 образованы поверхностя15 ми пересечения полос 4 арсенида галлия п-типа, легированного теллуром, и полос 5 арсенида галлия р-ти па легированного кремнием. Полосы 4 и 5 служат проводниками электрического тока к р-и переходам, образу20 ют координатную систему, и таким образом обеспечивают произвольную индивидуальную выборку диодных излучателей при минимальном числе внешних электрических выводов матрицы.
25 Фоточувствительный слой б нанесен на световыводящую поверхность 7 матрицы диодных излучателей. На ее противоположную поверхность 8 нанесен поглощающий слой 9, устраняющий оптические помехи, которые
30 возникают из-за распространения света. гене335721
Предмет изобр етеяия
Составитель И. Горелова
Редактор Л. Утехина Техред А. Камышникова Корректор E. Исакова
Заказ 1172/б Изд. № 524 Тираж 448 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раунская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 рируемого диодными излучателями по кристаллу матрицы. Наличие о птических помех в матрице ведет к уменьшению контрастности записи. Фотоприемник — кремниевый фотодиод 10 приклеен к фотослою б клеем,,прозрачным для излучения диодных источников.
Для записи, например, «нулей» двоичного кода информации, хранимой оптико-электронной матрицей, через соответствующие диодные излучатели поочередно пропускают прямой ток. Величина тока и время его протекания выбраны достаточными для экспонирования фоточувствительного слоя.
Фотоприемник приклеивают к фоточувствительному слою, после проявления и фиксирования полученного изображения.
Считывание одного разрядного числа в устройстве производится .путем .пропускания,прямого тока считывания через соответствующие диодные излучатели всех оптико-электронных матриц (по одному излучателю в каждой матрице). Свет, генерируемый этими излучателями, проходит через прозрачные участки в фоточувствительном слое, если в данном разряде записана «единица», либо;поглощается слоем, если в данном разряде записан «нуль» хранимого числа. Прохождение или поглощение света фиксируется фотодиодом в матрице
s соответствующего разряда.
Таким образом, на выходе всех фотодиодов создается электрическое изображение информации, записанной на фоточувствительном слое.
1О
Оптико-электронное запоминающее устройство, содержащее матрицу излучателей с индивидуальной выборкой,,носитель информации, в котором информация представлена в виде, прозрачных и непрозрачных участков, и фотоприемяик, отличающееся тем, что, с целью уменьшения оптических потерь и у проще20 ния технологии изготовления и обеспечения возможности резервирования излучателей, на световыводящую поверхность матрицы излучателей нанесен фотослой, чувствительный к длине волны излучения.