Электротехническое стекло

Электротехническое стекло

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

336288

Союз Соеетвкик

Социалистические

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. С 03с 3/04

Заявлено 18Х.1970 (№ 1440858/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опуолпковано 21 17.1972. Бюллетень №. 14

Дата опублпкоганпя описания 19Л .1972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 666 117 9(088 8) Авторы изобретения

Э. И. Пузырев и Г. M. Ша

Заявитель

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО

Изобретение относится к электротехническому стеклу, предназначенному для применения в электронной и радиотехнической промышленности в качестве диэлектрика.

Известно электротехническое стекло, включающее $10г, А1гОз, NnO, Feq03.

Целью изобретения является улучшение диэлектрических свойств стекла на сверхвысоких частотах.

Это достигается тем, что оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %:

S10г 24 — 40

А1гОз. до 45

МпО 28 — 52 егОз до 2,5 и, кроме того, СггОз 0,5 — 8

Варку стекла производят в защитной среде при температуре 1600 С, Стекло охлаждают, измельчают и:формуют изделия по методам, известным в керамической технологии.

Описываемое стекло имеет следующие свойства: диэлектрическая проницаемость в на ча5 стоте 3 10 аи равна 6,5, а тангес угла диэлектрических потерь tg б 10 4=9.

Предмет изобретения

Электротехническое стекло, включающее

10 SiO, Л1гОз, МпО, 1.= егОз, отличающееся тем, что, с целью улучшения диэлектрических

cBollcTB HB сверхвысоких частотах, оно содержит указанные компоненты в следующих количествах, вес. %:

Si0 24 — 40

А1 Оз до 45

МпО 28 — 52

ГегОз до 25 и, кроме того, 20 СггОз 0,5 — 8.