Способ изготовления электрокорундавснсогозиаяhalefilsio- tikh^ht^hmб!-'!блиотена

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

336314

ОП ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советокик

Социвлиотичеокик

Рвопублик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 10.XI.1969 (№ 1374314/29-33) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 21.1V.1972. Бюллетень № 14

Дата опубликования описания 19Л".1972

М. Кл. С 04Ь 35/10

Комитет по лелем изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 666 764 3(088 8) Авторы изобретения

А. М. Брейслер, Т. В. Котлярова, Л. Г. Пицина, С. П. Суров, И. П. Белехова, А. А, Пыльнев и А. С. Зубов

Уральский филиал Всесоюзного научно-исследовательского института абразивов и шлифования

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОКОРУНД

Изобретение относится к технологии изготовления электрокорунда.

Известен способ изготовления электрокорунда путем электрической плавки шихты, последующей отливки расплава в изложницу и охлаждения его.

Предлагаемый способ обеспечивает получение плотных и однородных по величине кристаллов отливок.

Это достигается тем, что на поверхность отлитого в изложницу расплава во время кристаллизации воздействуют направленным температурным полем с градиентом 3000—

4000 С.

Пример. Расплав электрокорунда отливают в нагретые до 700 — 800 С изложницы с высотой стенки около 100 им, а затем на зеркало расплава одновременно по всей его площади подают экзотермическую смесь в количестве 15% от веса отливки, При сгорании последней развивается температура

3000 — 4000 С. После сгорания смеси отливки охлаждают на .воздухе.

Полученный материал отличается высокой плотностью. Пористость его за исключением

5 шапки, составляющей до 5% от веса отливки, практически нулевая.

Материал характеризуется равномерным по всей толщине размером кристалла 170—

240 лк, очень тонкой прослойкой монокри10 сталлической фазы.

Предмет изобретения

Способ изготовления электрокорунда путем электрической плавки шихты, последующей

15 отливки расплава в изложницы и охлаждения его, отличаюшийся тем, что, с целью повышения плотности и однородности по величине кристаллов, на поверхность отлитого в изложницу расплава во время кристаллизации его

20 воздействуют направленным температурным полем с градиентом 3000 †40 С.