Интегральная микросхема

Интегральная микросхема

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

339070

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К ПАТЕНТУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимый от патента №

М. Кл. Н Oll 9/00

Заявлено 30.VI.1970 (№ 1456019/26-9)

Приоритет 08Х111.1969, ¹ WP21/141743, ГДР

Опубликовано 15Х.1972. Бюллетень № 16

Комитет по делам изобретений и открытий при Совета Мииистров

СССР

УДК 621.396.6-181.5 (088.8) Дата опубликования описания 16Л 1.1972 скссц р,"„»11 -ТЕХО"- б нбдзтотетта Р;-„, Автор изобретения

Иностранец

Вернер Хартманн (Германская Демократическая Республика) Иностранное предприятие

«Арбайтсштелле фюр Молекулярэлектроник» (Германская Демократическая Республика) Заявитель

ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА

Изобретение относится к,полупроводниковой технике и может быть использовано для изготовления интегральных схем различного назначения.

Известны интегральные твердые схемы, выполненные с обеих сторон полупроводниковой пластины, .причем каждая функциональная область с одной .стороны пластины находится между двумя функциональными областями с другой стороны. Это пространственное распределение не соответствует оптимальному выходу годных микросхем.

Целью изобретения является повышение процента выхода годных микросхем.

Для достижения этой цели функциональные области размещены на обеих сторонах пластины друг против друга.

На фиг. 1 показан .пример исполнечия интегральной микросхемы; на фиг. 2 — возможное распределение годных функциональных областей, обозначенных Л и О на первой и второй сторонах участка пластины; иа фиг. 3 — сечение по А — А на фиг. 1.

Подложка 1 интегральной схемы имеет на обеих сторонах эпитаксиальные слои 2 и 8.

Эпитаксиальные слои 2 и 8 покрыты слоями 4 окиси, в которых изготовлены сетки э и 6 для разделения на элементы 7. Каждый элемент 7 пластины содержит функциональную область 8 в эпитаксиальном слое 2 и функциональную

5 область 9 в эпитаксиальном слое 8, Из примера распределения годных (Х, 0) функциональных областей 8, 9, показанного на фиг. 1 и 2, видно, что двустороннее соосное расположение функциональных областей 8 и 9

10 на интегральной твердой схеме значительно увеличивает общее число годных функциональных областей. Для изготовления этой интегральной схемы используются только известные технологические операции. Кроме того, 1> используются обе годные функциональные области одного элемента пластины при монтаже в олин общий корпус.,Предмет изîоретеи ия

Интегральная микросхема, выполнечная на полупро води иковой пластине, отлппп ощпяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных микросхем, функциональные области

25 размещены на обеих сторонах пластины друг против друга.

Редактор В. Левятов

Составитель Н. Степанов

Техред А. Камышникова Корректор Е. Миронова

Заказ 1633/14 Изд. № 702 Тираж 446 Подписное

ЦНИИПИ Ксмитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, 5К-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2