Полупроводниковый многослойный перключающий прибор

Полупроводниковый многослойный перключающий прибор

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

О П И С А Н И Е оц ззотма

И3ОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02.11.70 (21) 148 1265/26 — 25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05.07.77. Бюллетень № 25 (45) Дата опубликования описания 12.11.77 (51) М, Кл.

H01 L 21/00

Государственный комитет

Соввта Министров СССР ао делам изобретений н открытий (53) УДК

621 382 333 34 (088 8) (72) Авторы изоб1 етеиия

К. А. Поляков и А. И. Куртайкнн (71) Заявитель (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МНОГОСЛОЙНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАЮЩИЙ

ПРИБОР

Изобретение относится к полупроводниковым переключающим устройствам.

Известны полупроводниковые многослойные переключающие устройства с горизонтальной структурой, например тирнсторы. Эти устройства в интегральных монолитных схемах изолируются от других элементов схемы диэлектриком, расположенным под анодной и управляющей областями.

Подобные полупроводниковые устройство малочувствительны к управляющему сигналу. Й

В предложенном приборе повьппена чувстви тельность к управляющему, сигналу за счет расположения диэлектрика на расстоянии, меньше 2 1 от анодной и управляющей областей, где L, — диффузионная длина неосновных носителей в области 1н базы.

Область диэлектрика, непроницаемая для носителей, инжектированных иэ анодной и управляющей областей, оказывает существенное влияние . на перенос носителей в области базы. 30

На чертеже показан предложенный прибор в разрезе.

Прибор содержит базу 1 (пластину исходного материала и- типа проводимости), анодную об ласть 2 р-типа проводимости, на границе которой с 5 базой 1 образован р-и-переход 3; управляющую об. ласть 4 р-типа проводимости, на границе которой с базой 1 образован р-л.переход 5, катодную область 6 и-типа проводимости, созданную в управляющей области 4 и образующую с ней р-л-переход 7, ограничиваннцую область 8, представляняцую собой диэлектрик и расположенную на расстоянии не больше 2 1 от управляющей 4 и анодной 2 областей, контакты 9,10, 11.

Если к контакту 9 приложено напряжение положительной полярности, к контакту 11 напряжение отрицательной полярности, к контакту 10- напряжение управляющего сигнала положительной полярности, то вследствие действия положительной обратной связи, сопровождающегося инжекцией неосновных носителей из области 2 в область базы 1, и из области 6 в область 4, устройство переходит в состояние с малым сопротивлением, т.е. включается. Перенос и инжекция неосновных носителей в области базы 1 зависит от расстояния между областью 8 и анодной 2 и управляющей 4 областями. Так как диффузия неосновных носителей в область 8 невозможна, то около области 8 образуется избыточный градиент концентрации неосновных носителей, который в зна339246

N41t815392

Составитель О. Федюкина

Техред И. Климко

Редактор Т. Орловскаи

Корректор М. Демчик

Заказ 21 Зб/223

Тираж 916 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

11383S, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/S

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 чительной степени ослабляет поток неосновных носителей, иижектируемых вертикально вниз из областей 2 и 4. Рследствие этого коэффициент передачи через область базы становится выше, чем в известных конструкщ1ях при одинаковом расстояние между областяаж 2 и 4.

Если указанное расстояние менее 0,1 1, то чувствительность к управляющему сигналу устройства значительно повышается, но напряжение переключения уъюньшается. Если же расстояние жжду областьв8 и областями 2 и 4 составляет от 0,1 L до 2 1 то в устройстве сочетаются высокие напряжния переключения и чувствительность к управляющему сигналу. Если указанное расстояние больше 2L, то некоторое ювышение напряжения

11ареключения сопровождается значительным сннзеинем чувствительности к управляющему сигналу

Изобретение может быть реализовано на основе современной технологии изготовления полупроводниковых приборов: эпитаксия на сапфире или шпинели, диффузия, ионное внедрение и др. Оно может быль использовано в тнрнсторных схемах, в частности в матрицах памяти, в схемах управления электролюминесцентными индикаторами, Формул а изобрете ния

Полупроводниковый многослойный переключающий прибор, например тиристор, с горизонтальной структурой, выполненный в изолированном кармане, отличающийся тем, что, с целью повьпцения чувствительности прибора к сигналу управления, расстояние между диэлектри ком и анодной н управляющей областью не превышает двух диффузионных длин неосновных носителей в базе.