Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых .(материалов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С Д Н И E 339883

И ЗО БР ЕТЕ Й И Я

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависигное от авт, свидетельства Лз 247406

М.Кл. G OII- 31/26

Заявлено 18.ll.1971 (№ 1623444/26-25) c npncoc, InnennciI з;1:!«кn ¹â€”

Комитет по аелам изоеретеиий и открытий при Совете Мииистров

СССР

Приоритет—

Опубликовано 24Л .1972. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 18.VIII.1972

УДК 620.1(088.8) И. С. Левитас, Л. M. Могильницкий, Ю. К. Пожела и А. П, Сащук

Авторы изобретения

ОБОЗНАЯ

Институт физики полупроводников AH Литовской

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗ!ттЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОД110СТИ

ПОЛУП1 ОВОДНИКОВЫХ ЧАТЕРИАЛОВ

Известно устройство для изilepc;1 электропровод»ости полупро«однико«ых материалов по авт. св. № 24740б, состоящее из системы д»ух трансформаторов н полупроводпикового образца, который является вторичной обмоткой первого трансформатора и первичной 00моткой второго трансформатора питающего гсиератора и нуль-;и!ндикатора. гт едостатками известного устройства являются: ограниченные возможности измерений электропроводности, зависящей от инерционных явлений в полупроводниковых ооразцах .и недостаточ!ная точность при измерениях полупроводниковых образцов с большнсч сопротивлением.

Цель изобретения — повышение Ióâñòâèтельности при измерении полупроводниковь1х маториалов с большой инерционностью и большим сопротн«лснием.

Цель достигается тсч, 1то во «тори IIIvlo обмотку компенсирующего трансформатора включается конденсатор.

На чертеже предста»лена схема устройства.

Устройство состоит из генератора радиоимпульсов 1, питающего трансформатора 2, полупроводникового образца 8, компенсирующего трансформатора 4, нуль-индикатора б, вторичной обмотки компенсирующего трансформатора 6 и конденсатора 7.

Втори шая обмотка компенсирующего трансформатора 6 н конденсатор 7 образу!От ! .Ол сб зlтс, 1 нный I(OI»Ti р

Трансформатор 4 имеет компенсационную

5 обмотку 8, подключенную к обмотке 9 питающего трансформатора через потенцномстр 10.

Образец 3 является вторнчнон =омоткой питающего трансформатора и первичной обмоткой компенсирующего трансформатора.

Напряжение питающего генератора радионмпульсов 1, подключенное к первичной обмотке трансформатора 2, индуцирует э. д. с., создающую в полупроводниковом образце 8 ток, гызывающий появление во вторичной обмотке трансформатора 4 э. д. с. Эта э. д. с, ко!Кпенс:1руется напряженнем, возникающим за счст тока, проходящего черсз обмотку б, включенную

»стречно по отношеншо к обмотке 8. H0Tcnцно.четр 10 устанавливается г!o нуль-индикатору так, чтобы ток во вторичной обмотке тра!»сформатора 4 отсутствовал. Величина сопротн»лсння потенциометра 10 соотвстсг»уcT со«роги«вЂ” лени!0 Пол ч Проводи и ко»ОГО 00p 3311а 8.

Колсбательный контур настрое: !» резо25 панс с частотой заполнения радио:1мпульса, что позволяет получить большîc электрическое,поле, которое зависит от частоты заполнения, и измерять электропроводность полупроводниковых образцов с большим c„rlротн»зо лсннсм;! бол!иной ннерцнопностьк .

339883

Составитель 3. Челноков!!

Тсхред Т. 1(урилко Корректор Т. Гревцов!!

Редактор Л. Мазуре!!ок

Заказ 2628 1изд. ¹ 724 Тира>к 448 Подписное

11!11П!П11 Ко.п!.сг!! ип дслагн изобрс-спп!! и открытий при Совете Министров СССР

Л!осква, )Y,-35, Раушская иаб., д. 4 5

Загорск: !.f гипогр !фи!!

111:сдс!!!ис колсба гсльногo контура обсснеч!в !ст всл1гчсннс перес и!танного сопротнвле.I!I!i! !1;j)!I:I lloff О!!з!о кп комис "С!! рx Ioï.åãо ! !1;!!!сфс!!м;! го;::1, ITo уменьшает коэффш1!1е!!т деления дел!Пели, с.н.тоя,е10 нз сопротивле1! !!51 Обр11. ll!! 11 lf cf) cc !! Iòû!!l! IÎÃÎ co!Ipo D!!Влення перь, иной oi, ;foòêf! компенсирующего трансАорма!тора, и такхкс увеличен;!е точности:язв!О11с. 1!! э. !с тропрэводности полупрОВОд!1ико-!!!!х образцов «больш;!и сопрот!!вг1с!!ием.

П!рсгдм ет и з обр стен ия

Устройство для измерения электропроводности полупроводниковых материалов по авт. сн. ¹ 247406, отлт 11О1цееся тем, что, с целью

5 повышения чувствительности при измерении полупровод1!и!ковых материалов с большой инерционностью и большим сопротивлением, во вторичную обмотку компенсирующего транс форматора включен конденсатор.