Способ изготовления непроволочных резисторов
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Союз Советсинк
Сециапистмчесиик
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 12. 10.70 (2I ) 1480481/26-09 р () щ у(Ъ
Н 01 С 17/06 с присоединением заявки М—
Гооударстааииый комитет (23) Приоритет—
Опубликовано 30.10.80. Бюллетень ¹ 40
Дата опубликования описания 02.11.80 по делам изобретений и открытий (53) УДК, 621,316.. 86(088. 8) Г. A. Воробьев, IO. П. Данилов и С. A. He (72) Авторы изобретения
Томский институт радиоэлектро.- яки и электронной техники (71) Заявитель (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НЕ ПРОВОЛОЧНЫХ
PE ЗИСТОРОВ
Изобретение относится к технологии производства радиоцеталей и может быть использовано при изготовлении ре зисторов.
Известный способ изготовления непроволочных резисторов на основе углерод5 содержащих веществ, наносимых на основание, выполненное из неорганического диэлектрического материала, характеризуется длительностью технологического процесса и трудностью получения мощных резисторов с малым разбросом по номиналам сопротивлений.
Пель изобретения — получение мощных резисторов с малым разбросом по номи!
5 калам сопротивлений.
Это достигается тем, что основание, выполненное из неорганического диэлектрического материала, погружают в жицкую органическую среду и воздействуют на его поверхность импульсными электрическими разрядами.
На чертеже представлена установка, реализующая предлагаемый способ.
Основание 1, выполненное из неорганического диэлектрического материала, помещают в ванну 2, также выполненную из диэлектрического материала и наполненную жидкой органической срецой. Над поверхностью основания 1 поц углом к ней располагают цва электрода 3 и 4, представляющих собой закрепленные в изолирующих стержнях 5 и 6 металлические иглы, острия которых касаются поверхности диэлектрического основания.
Расстояние между точками касания определяется параметрами источника высоко го напряжения и составляет 14 мм.
При подаче на электроды 3 и 4 импульсного напряжения в межэлектродном промежутке возникает электрический разряд. Он разрушает участок поверхнос ти циэлектрического основания между точками касания электродов, в результате чего образуется углубление, имеющее виц канавки, которая расположена вдоль прямой, соединяющей концы электродов.
После образования канавки разряд раз3 34 вивается в жидкой органической среде.
При этом происходит крекирование органическик веществ с выделением газообразных и твердык продуктов, например сажи, которая заполняет углубление между электродами, прочно спекаясь с расплавленной частью диэлектрика по каналу рааряца и образуя сажевый мостик. Перемещение одного из электродов по поверкности основания приводит к тому, что сажевый мостик становится продолжением неподвижного электрода. Электрический разряд. развивающийся между движущимся, электродом и свободным концом токопровоцящего мостика, разрушает следующий участок поверхности и процолжение мостика. В результате при равномерном движении электрода на поверхности диэлектрического основания образуется токопроводящий участок в виде ровной черной линии. Электрическое сопротивление единицы цлины токопроводящего участка опрецеляется приходящимся на нее количеством импульсов высокого напряжения.
Непроволочные резисторы, полученные этим способом, нацежны, так как спекшийся материал, являющийся продуктом соединения сажи с диэлектриком, 1096 ф механически прочно соединяется с основанием и его не удается отделить от него беа разрушения послецнего.
В качестве циэлектрического основа ния может использоваться фарфор. керамика, плавленный кварц, различные сорта стекла; в качестве жидкой органичес кой срецы - трансформаторное масло, Источник импульсного напряжения может иметь следующие параметры: амплитуда импульсов 80-120 кВ, длительность фронта импульсов 10 4-10 с, частота следования импульсов 100 Гц. Время получения токопроводящего участка зависит от номиналов резисторов и составляет
2-5 с, Ф ормула изобретения
Способ изготовления непроволочнык резисторов на основе углеродсодержащик веществ, наносимых на основание, выполненное из неорганического диэлектричес- кого материала, о т л и ч а ю m и йс я тем, что, с целью получения мощных резисторов .с малым разбросом по номиналам сопротивлений, основание погружают в жицкую органическую среду и воздействуют на его поверхность импульсными электрическими разрядами.
f
ВНИИПИ Заказ 7837174 Тираж 844 Подписное
Фнпиал ППП Патент, г. Ужгород, PI Проектная, 4