Способ изготовления полупроводниковыхприборов

Способ изготовления полупроводниковыхприборов

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сок>з Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства «¹

Кл. Н 011 7 34

Заявлено 14 т111!.1967 (№ 1177640/26-25) с присоединением заявки чо

Комитет ло делам иаобретвиий и открытий ври Совете Министров

СССР

Приоритет

Опубликовано 20.Х11.1972. Бюллетень Ы 3 за 1973

Дата опубликования описания 1.11.1973

УДК 621.382.002(088.8) Авторы изобретения

А. А. Шевцов, Э. Е. Пахомов, Л. И. Полова и Э. О. Тизенберг

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИ КОВЫХ

ПРИБОРОВ

Изобретение может быть использовано при изготовлении диодов, транзисторов, элементов интегральных схем, матричных устройств и т. п.

Известны способы изготовления полупроводниковых приборов, например транзисторов, с использованием эпитаксиального выращивания одной из активных областей полупроводниковой структуры. При этом требуется многократное проведение процессов эпитаксиального осаждения в сочетании с последующими процессами диффузии.

Цель изобретения — повышение производительности процесса и обеспечение возможности изготовления полупроводниковой, например транзисторной, структуры за одну технологическую операцию.

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу в процессе эпитаксиального осаждения монокристаллического полупроводникового материала, являющегося активной, например эмиттерной, областью транзисторной структуры, производят его легирование одновременно примесями двух типов проводимости с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.

В процессе дальнейшей диффузии примесей из выращиваемого эпитаксиального слоя в исходный полупроводниковый материал (подложку) одновременно с эпитаксиальным выращиванием (либо в процессе дальнейшей термообработки) в теле подложки возникают два р — n-перехода, расположенные так, что устройство обладает транзисторным эффектом.

Процесс осуществляют следующим образом.

Иа пластине германия р-типа проводимости с базовым соединительным слоем и-типа про10 водимости известными методами фотолитографии и маскирования германия, например пленкой Si02, локально путем, например, травления в газообразном НС1 создают окна (углубления) для эмиттера, в которые эпитаксиально осаждается, например, хлоридным методом монокристаллический слой германия, легированный в процессе эпитаксиального осаждения акцепторной примесью, например бором, концентрации Na 10 с — 10 о с.и — и донорной примесью, например сурьмой, концентрации Yd (1 — 2) .10ьт с.я — . Донорная примесь, легирующая монокристаллический эпитаксиальный эмиттер, диффундирует в процессе эпитаксиального наращивания в материал коллектора, образуя активную базу; так образуется транзисторная структура. Эпитаксиальный эмиттср создается на глубине около

10 .чкль Эпитаксиальное наращивание эмиттера проводится при температуре =810 С в

ЗО течение -5 лин.

344777

Предмет изобретения

Составитель М. Лепешкина

Редактор И. Орлова

Техред T. Миронова

Корректоры: А. Дзесова и Е. Талалаева

Заказ 106/5 Изд. Ме 72 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Режим наращивания эпитаксиального эмиттера выбирают так, чтобы обеспечить монокристалличность структуры выращенного эпитаксиального слоя, а также воспроизводимость по концентрации легирующих донорных и акцепторных примесей и ширине активной базы.

Способ изготовления полупроводниковых приборов путем эпитаксиального осаждения и последующей диффузии примесей в полупроводниковую подложку, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса и обеспечения возможности изготовления транзисторной структуры за одну технологическую операцию, в ппоцессе эпитаксиального осаждения полупроводникового материала производят его легирование одновременно примесями двух типов проводимости с различными коэффициентами диффузии до концентраций примесей, разность которых превышает по крайней мере два порядка.