Способ измерения омической искусственной линии
Иллюстрации
Показать всеРеферат
Класс 1е,g<>
I.
АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО HA ИЗОБРЕТЕНИЕ
ОПИ-САНИE способа измерения омической искусственйой линии, К авторскому свидетельству М.. Г. Цимбалистоге и- Н. Н. Соловьева, заявленному 24 апреля 1фО года (заяв. свид.. № 68885).
О выдаче авторского свидетельства опубликовано 28 февраля 1934 года. (437) В практике телеграфно-телефонных измерений часто приходится- иметь дело с искусственными ойическими линиями; являющимися- простейшим средствам приблизительного воспроизведения действительных линий. Проверка изготовлен-ной искусственной линии, производящаяся путем измерения сопротивления катушек, не дает гарантии соответствия . изготовленной линии с заданнымн 3673уханием и волновым сопротивлениея, в виду возможной ошиоки в расчете, которая таким образом остается необнаруженной. Поэтому волновое сопротивление и затухание изготовленной линии целесообразнее .определять непосредственным измерением.
Одним из известных приборов для проверки таких -искусственных лидий. постоянным током служит компенсационное устройство разработанное, например, фирмой Сименс и Гальске. При компенсационном методе измерений применяе"мые здесь две батареи должн,ы бать одинакового напряжения. Затухайие, может быть определено с достаточнойточностью в случае, если величина затуха-, ния b больше 3 непер.
Для измерений затуханий, . мейьших указанной величины, приходится .под. ключать эталоны íà b =3.
В качестве неудобств указанного;иетода можно отметить: необходимость наличия двух батарей и их постоянной проверки, потребность эталонов.на Ь = 3, выполненных соответственно типу линии.
Укаэанные недостатки устраняются пред,,«тагаемым согласно изобретению методом основанным на использовании схемы мостика Уитстона. Для определения затухания искусственной линии ее элементы включаются в две ветви и в диагональ моста с той целью, чтобы по отношению сопротивлеыий двух других ветвейможно было найти затухание. Волновое сопротивление омической искусственной линии находится путем включения < в одну из ветвей моста всей линии параллельно с регулируемым добавочным сопротивлением, дающим непосредственно величину волнового сопротивления.
На чертеже фиг. 1 и 2 изображают различные схемы искусственной линии:
Н-образной симметричной и Т-образной несимметричной; фиг. 3 — представляет схему вышеупомянутого прибора Сименс и Гальске; на фиг. 4, б, 8 (с Н-образными линиями) и 5, 7 и 9 (с Т-образными линиями) представлены принципиальные схемы для измерения этим методом затухания большой величины и затухания малой величины и волнового сопротивления.
@ля еИвздушных линий и пупинизированного кабеля, т. е. для наиболее часто встречающихся средств связи, можно с достаточной точностью считать волновое сопротивление почти действитель ным. Следовательно в этом, случае действительная линия может быть восйроизведена четырЕхполюсником,, представленным. на чертеже — фиг. 1 и 2, составленным из омических сопротивлений.
Расчет элементов таких искусственныхлиний ведется по следующим формулам:
b 8
R=z tgЬ и W= ——
2 sin hb где я †волнов сопротивление действительной линии и b — ее затухание.
Таким образом при постоянном каждому значению величины затухания
Ь соответствуют определенные величины
Я и W. На этом и основан предлагаемый метод измерения искусственных омических линий. Как это видно на фиг. 4, 5, б и 7, элементу искусственной линии:,разделены по плечам моста
:Уитстона. При отсутствии тока в гальванометре имеем для Н-образных лиW+—
R ний r=r, (фиг. 4) и r = ф
+ 4
9 д (фиг. 5). Поставив вместо W u R
Н я
/ 8 мх указанные выше значения W = ъ и R = z tg Ь вЂ”, получим зависимость затухания b от r. Эта зависимость, пред ставленная в виде таблицы или в виде кривой для каждого типа линии и для каждого из интервалов Ь, может быть йспользована для проверки затухания изготовленной искусственной линии.
Схема фиг, 4 применяется .для проверки величины затухания в пределах от b=10 до b=0,5. Схема фиг. 5, от.личающаяся от схемы 4 добавлением сопротивления z, пригодна для проверки значений b от О, 5 до 0,01. В каче<тве постоянного сопротивления r< удобнб, например, применять сопротивления . в 1 000 ол при значениях Ь ) 0,1 и в
10 ок при b +0,1.
Из теории известно, что входное со- . противление четы рехполюсника равно его выходному сопротивлению, если четырехполюсник замкнут на,сопроти1 .вление, равное его собственному волновому сопротивлению; На этом свойстве четырехполюсника и основан способ измерения волнового сопротивления искусственной омической линии.
Как видно из схем фиг. 8 и 9, равновесие моста дрстигается в том случае, когда сопротивление плеча, обозначенного z,,равно ы искусственной линии, и сопротивлению,. на которое замкнута искусственная - линия и которое также обозначено z, так как оба значения т по ходу измерений должны меняться одновременно и быть равными друг другу.
Схема фиг. б применяется для проверки волнового сопротивления искус-, ственной -линии. В этой схеме выходные клеммы искусственной линии замыкаются на,добавочное омическое сопротивление z, равное волновому сопротивлению испытуемой линии. Балансные сопротивления равны и приняты каждое, например, в 1 000 ом. Сопротивления
r u z равны и одновременно изменя; ются как в- одну, так и в другую сторону, и при равновесии мостика каждое из них, равно искомому волновому сопротивлению линии. 1
Предмет изобретения.
Способ измерения омической искусственной линии, отличающийся применением моста Уитстона для определения затухания искусственной линии и ее врлнового -сопротивления путем включения элементов линии в две ветви и в диагональ моста, с той целью, чтобы по отношению сопротивлений двух других ветвей можно было определить затухание искусственной линии и путем включения в одну из ветвей моста всей искусственной линии вместе с регулируемым добавочным сопротивлением можно было определить волновое сопротивление искусственной линии.
КК автсрскому свидетельству M. F. Цимбалистсго и
Н. Н. Соловьева М 34651
Car.I
Рд "Рв
Л,/г 3 Ну:2
М Ф Й ммм
Ялга
В Р
@нг.в
РУ РР
Эксперт И. А. Городинский
Редактор Н. Н. Григорьев ь
Лсвпромпечатьсовз. Тип. „Псч. Труд". Зак. 3072 — 409