Сегнетоэлектрический материал

Сегнетоэлектрический материал

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

346 8I3

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соевтскит

Социалистическик

Реслублик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

М. Кл. H 04r 17(00

С 04b 35/00

Заявлено 08.Х.1970 (№ 1482735/29-33) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 28.VH.1972. Бюллетень № 23

Дата опубликования описания 15Х111.1972

Комитет ло делан иаобретеииб и открытий лри Совете Мииистрсе

СССР

УДК 621 315.61:537.

226 (088.8) Авторы изобретения Н. Б. Фельдман, Р. М. Лерман, Е. Г. Смажевская и Ф. М. Курин

Заявитель

СЕГН ЕТОЭЛ ЕКТР И Ч ЕСКИ Й МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к области пьезотехники, а имен Io к составу сегнетоэлектричсского материала для пьезоэлементов.

Известен сегнетоэлектрический материал на основе твердых растворов

Pb((Mg, Nb) кТ1,-Хг,.)О с добавками NiO и Мп02.

Для обеспечения стабильности резонансной частоты материала в широком интервале температур он содержит

Pb ((Мф з Nba a)„Ti,. Zr,J О,, при х=0,4 — 0,8; у=0,1 — 0,6; z=0,— 0,5, NiO

0,1 — 5,0 вес. %, МпО 0,1 — 5,0 вес. % и, кроме того, SiOs 0,1 — 2,0 вес. %, а сверх стехиометрии MgO 1,0 — 5,0 вес. %.

Образцы из сегнетоэлектрического материала изготавливают по обычной керамической технологии.

Исходные компоненты, взятые в вес. %: окись свинца 57 — 73, двуокись титана 1 — 26, двуокись циркония 0,1 — 28, окись магния 2 — 4, пятиокись ниобия 12 — 25, окись никеля

0,1 — 5,0, двуокись марганца 0,1 — 5,0, двуокись кремния 0,1 — 2,0, углекислый магний 1,0 — 5,0, смешивают в виде мелкодисперсных порошков, брикетируют и подвергают синтезу прп температуре 850 С в течение двух часов. Полученный материал измельча|от и подвергают прессованию в виде дисков. Окончательное спекание проводят при температуре 1240 С в течение одного часа. Электроды наносят»етодом вжигания серебряной пасты. Поляризацшо образцов проводят при температуре

100 С в среде жидкого диэлектрика в иоле напряженностью 40 кв. см — .

Испытания образцов показали высокие зна1О чения механической добротности и улучшение температурной стабильности резонансной частоты, а также снижение временного изменения резонансной частоты в процессе длительного (1000 часов) пребывания образцов

15 при температуре +85 С.

Предмет изобретения

Сегнетоэлектрический материал на основе твердых растворов Pb((Mg, Nb),-Ti;Zr,)03 с до20 бавками М10 и Мп02, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабильности резонансной частоты в широком интервале температур, он содержит

Pb ((Mg>(a Nba,з)к Ti,. Zr,J О, при « = 0,4 — 0,8; у =0,1 — 0,6; z =0 — 0,5, NiO

0,1 — 5,0 вес. %, MnOs 0,1 — 5,0 вес. % и, кроме того, SiOs 0,1 — 2,0 вес. %, а сверх стехиометрии М О 1,0 — 5,0 вес. %.