Способ улучшения линейности преобразования свет—заряд при электрофотографической записи

Способ улучшения линейности преобразования свет—заряд при электрофотографической записи

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 347727

ИЗОВРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 26Х.1970 (№ 1442041!28-12) Ч. Кл. G 03O 17. 00 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 10.V111.1972. Бюллетень ¹ 24 УДК 772.93(088.8)

Дата опубликования описания 04.1Х.!972

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. А. Макарычев и В. А. Миколайтис

Заявитель

СПОСОБ УЛУЧШЕНИЯ ЛИНЕЙНОСТИ ПРЕОБРАЗОВА11ИЯ

СВЕТ вЂ” ЗАРЯД ПРИ ЗЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОИ ЗАПИСИ

Изобретение относится к электрофотографическим способам получения изображений, а именно к способам обеспечения наилучшего соответствия полученного изображения оригиналу.

Известные способы улучшения качества полученного полутонового изображения за счет применения контрэлектрода характеризуются тем, что преобразование свет †зар, т. с. преобразование светового изображения в скрытое электростатическое, существенно нелинейный процесс, искажающий передачу полутонов.

Предлагаемый способ позволяет улучшить линейность преобразования свет — заряд за счет помещения слоя во внешнее поле, изменяющееся во время экспонирования.

Квантовая эффективность фотополупроводника зависит от напряженности поля в нем, так как с уменьшением поля увеличивается вероятность рекомбинации гепери ров апных светом пар электрон — дырка, а также вероятность захвата носителей. Обычно поле в фотополупроводнике обусловлено поверхностным зарядом и изменяется по мере изменения поверхностного заряда при экспозиции, что ведет к изменению квантовой эффективности слоя, т. е. к нелинейности йреобразования свет — заряд. Таким образом, преобразование будет линейно,- если- при экспозиции поле в фотОГ10л1 прОВОдпl!!Ое и! ддер>кивaстся постоянным. 3TQ Ус IQBIlc;Illllclliiol o IIРСООРазованпЯ не можст быть выполнено, есл:! поле в фотополупроводпикогом слое создается только по5 Всрхностным зарядом. Нсобходих!о ввести еще одну составляющую поля в фотополупроводнпковом слос, помсстив сго во внешнее электростатическое по,lс, которос ПЗ,lепястся по мсрс изб!спспия пОВсрхнОстного заряда таким

10 образом, что поле г фотополупроводиике остается слабым пли слабо мсняется.

Способ улучшсшгя линейности прсооразоваПИЯ СВСТ вЂ” зс1РЯД СОСТОИТ В ПО ICIIICIIIIII СЛОЯ

15 фотополупроводппка (сслсн или окись цинка)

T o.1 Iiz lf I I 0 и 1 0 — 1 00,!1Kii 11 o ll 0 I i T p э:I е i T р О до iiI, причем расстояние между ними составляет от

4 до 100 !тки, на контрэлектрод подают напряхксние от =00 до 2000 в, не приводящее к

20 IIpooolo B03ZI IliiloTО llpoIIc»IA Tl .B Alc»lpga 1 онтрэлекTpozo» 1; С.чос.;1. Напряжспис на 1 Онтрэлсктроде Bo BpcAIII экспопировап1!я так, чтобы ток во внешней цепи в течение всего процесса экспонирования оставался посто25 янны м.

Для этого во внешнюю цспь вводят сопротивление порядка 0,1 — 0,5 о.и, снимае»oe напряжение с которого служит сигналом обратной связи zzB управления источником, пода30 Ioщим папp;I>1 сlпic па i!11Tрэлcктpoд.

347727

Предмет изобретения

Составитель Э. Почтарь

Текред T. Ускова

Редактор Л. Народная

Корректор Г. Запорожец

Заказ 2685(16 Изд. 1Ча 1152 Тираж 406 Г1одписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва. Ж-35. Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2

Способ улучшения линейности преобразования свет — заряд при электрофотографической записи, основанный на использовании зависимости квантовой эффективности от напряженности поля в слое и состоящий в помещении фотополупроводникового слоя при экспонировании во внешнее электростатическое поле, отличающийся тем, что, с целью обеспечения соответствия записываемого изображения оригиналу, внешнее поле регулируют так, что вначале оно направлено встречно напряженности поля, обусловленной поверхностными зарядами фотополупроводникового слоя, а затем во время экспонирования изменяют напряжение источника, создающего внешнее поле, уменьшая изменение общего поля в фотополупроводниковом слое и удерживая постоянным ток во внешней цепи в течение все10 го времени экспонирования.