Патент ссср 347838

Патент ссср 347838

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

О П И С А Н И Е 347838

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 25.1!1.1971 (№ 1640676126-25) с присоединением заявки М—

Приоритет—

Опубликовано 10,VIII.1972. Бюллетень ¹ 24

Дата опубликования описания 04.Х.1972

М. Кл. Н Oll 11 10

Комитет ло делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР ДК 621 382 3(088 8) Авторы изобретения

В. С. Першенков и Б. В. Ткачев

Московский ордена Трудового Красного Знамени инженерно-физический институт

Заявитель.! 1 г1

ТИР ИСТОР

Изобретение относится к области полупроводниковых, приборов и может быть использовано, например в запоминающих и формирующих устройствах для цифровых вычислительных машин. 5

Известен МДП тиристор, который может включаться под действием напряжения, приложенного к затвору. Выключают этот прибор обычными методами: уменьшением напряжения питания или подачей в базовую область lo тиристора запирающего импульса тока. Последнее существенным образом снижает те достоинства, которые могут быть получены в нриборе, объединяющем свойства МДП транзистора и тиристора: возможность управления 15

1прибором с отрицательным сопротивлением с помощью поля.

Цель изобретения — разработка полностью управляемого МДП тиристора, который мот бы включаться и выключаться по управляющему электроду.

Предлагаемый прибор позволяет полностью развязать управляющую цепь и значительно упростить структуру схем с использованием

МДП тиристора. Полностью управляемый

МДП тиристор может быть получен обычными методами интегральной электроники, что,позволяет широко использовать его в интеграль-ных схемах. 30

На чертеже представлен поперечньш разрез части кристалла, включа1ощего тиристор с продольной структурой, слой диэлектрика и управляющий электрод.

Полностью управляемьш МДП тнрпстор представляет собой сочетание четырехслойной и -p-п-р-структуры (тиристора) и структуры типа металл — диэлектрик — полупроводник (МДП транзистор) . Тпрпстор 11меет продольную структуру, что облегчает получение прибора обычными методами интегральной электроники.

Области 1, 2, 8 являются коллектором, базовой областью п-типа и эмпттером тпрпстора соответственно. Электрод эмиттера 4 имеет непосредственную связь с эмпттерной областью р-типа и область1о 5 п--типа, которая вводится в структуру для выключечпя по управляющему .электроду 6. Об,13cTb 7 диэлектр1гк — изолирует управляющий электрод 6 от базовой области 2 и-типа и эмпттера 8 тпрпстора р-типа.

Включают тпрпстор обычным способом: путем подачи отрицательного напряжения на управляющий электрод 6. Управляющее поле индуцирует на области 2 канал р-типа, через которыи в базовую область р-типа тпристора вводятся основные носители, приводящие к включению и -р-п-р-структурь1, 347838

Предмет изобретения

7 8 3 5

Составитель О. Федюкина

Техред Т. Ускова

Корректор Е. Зимина

Редактор А. Батыгин

Заказ 394/!555 Изд. № 1107 Тираж 405 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фил. пред. «Патент»

Выключение тиристора происходит при пожительHом напряжении на у!правляющем электроде б. Область 5 и -типа, непосредственно связанная с эмиттером 3 тиристора, и базовая область 2 и-типа тиристора образуют МДП тран зистор с индуцированным п-каналом. Под действием положительного на!пряжения íà области р-типа, прилежащей к затвору, индуцируется п-канал, что приводит к удалению основных носителей из базовой области и выклю чению тиристора.

Тиристор, выполненный на основе многослойной структуры с продольной геометрией и полевым электродом управления, отличающийся тем, !то, с целью получения возможности включения и выключения тиристора полевым электродом, в эмиттерной обласц! тиристора создана область n.+-ти па, соедин@Ъая с эмиттером, а полевой электрод расположен над областями эмиттера и базы.