Способ получения р—/г-перехода

Способ получения р—/г-перехода

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

Р3

cc =, (-,, -о, "т, С А Н- И Е

348I29

О П

СОюз СОРетских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 05.IV.1971 (№ 1646126/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано ОЗ.Х.1973. Бюллетень № 39

Дата опубликования описания 4.II.1974

М. Кл. Н 011 7/02

Гасударственныи камите1

Совета Министров СССР во делам изобретений и открытий

УДК 621.382(088.8) Авторы изобретения

С. Х. Мильштейн и В. И. Никитенко

Институт физики твердого тела АН СССР

Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ р — п-ПЕРЕХОДА

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов.

В известном способе создания прижимных вы прямляющих контактов на кремнии п-типа при помощи вольфрамовых микрозондов с использованием дислокаций имеет место малая механическая прочность контактов. Имея хорошие частотные характеристики, указанные переходы, однако, ограничены по мощности ввиду малой площади контактов.

Цель изобретения — разрабожа сварных точечных р — n-переходов, восстанавливающих свои свойства после пробоя и обладающих большей мощностью рассеяния, а также диодных матриц на кремнии п-типа в местах расположения сгустков дислокаций большой плотности, что дает возможность получать выпрямляющий переход, не легируя полупроводни к.

Отсутствие легирования, совмещение oIIeраций создания выпрямляющего и омического контактбв, использование в обоих случаях одного и того же технологического приема— точечной сварки — значительно упрощает технологию изготовления р — n-перехода. Небольшое количество технологически простых операций, а также несложное оборудование, .применяемое в предлагаемом способе, создает предпосылки для полной автоматизации всего технологического цикла изготовления диодов и диодных матриц.

p — n-переходы, полученные предлагаемым способом, восстанавливают свои свойства .пос5 ле лавинного пробоя, что достигается использованием в создании р — и-перехода акцепторного действия дислокаций.

Эффективность предлагаемого способа исследовали на монокристаллах кремния п-ти10 па с удельным сопротивлением 45 ом см, размеры которых 20+2+0,5 мм.

Образцы деформировали при 500 — 600 C корундовым индентором, заточенным в форме четырехгранной пирамиды. Кристаллы поме15 щали в круглую маленькую электрическую печь (диаметр которой 75 мм, высота 60 мм), размещенную на столе микротвердомера типа ПМТ-3. По достижении необходимой температуры кристалл укалывали индентором с

20 нагрузкой 2 кг. Затем индентор разгружали, стол твердомера вместе с печью при помощи мпкрометрического винта п перемещали на

2 — 3 мм для нанесения нового укола.

В верхней крышке печи выполнена длинная

25 прорезь, позволяющая проводить локальное деформирование необходимое число раз по всей длине образца.

Размер отпечатка индентора 0,25+0,25 мм, что при использованных нагрузках соответст30 вует давлению 32 кг(мм .

348129

Составитель А. Кот

Редактор A. Батыгин

Корректор Е. Хмелева

Текред T. Ускова

Заказ 178/12 Изд. Мв 79 Тираж 780 Подписное

ЦИИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР

lIo делам изобретений fi открытий

Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

После деформирования образцы травили в растворе HF: НМОз . .СНзСООН=1: 3; 2 и промывали в дистиллированной воде и спирте. После травления на деформированных участках обнаруживали дислокационные области с большой плотностью дислокаций (по предварительной оценке 10 — 10" см а) .

К недеформированным участкам образца методом точечной сварки приваривали омические контакты из золотой проволоки,диаметром 0,1 мм легированной сурьмой. При этом применяли стандартную схему точечной сварки. Блок конденсаторов общей емкостью

400 мкф заряжали от универсальпото источника питания УИП-2 при напряжении 100—

110 в. В цепь разрядки конденсаторов для ограничения тока включали реостат типа РСП с сопротивлением 38 ом.

Упомянутую золотую проволоку при этом же режиме сварки приваривали к участкам кристалла с большой плотностью дислокаций.

При этом проводили мягкую сварку, а не вплавлепие золота, так как ток не пропускался через массу образца и был подобран та5 ким образом, чтобы обеспечить достаточно надежную адгезию металла с полупроводником.

10 Предмет изобретения

Способ получения р — и-перехода на основе пластины кремния и-типа путем приварки контактного материала, отличающийся тем, 15 что, с целью получения р — n-перехода, восстанавливающего свои свойства после пробоя, и уьеличения мощности, приварку контактного материала осуществляют к деформированным участкам пластины с плотностью дисло20 каций порядка 10 — 10 см-2