С. м. рыбкинирдена ленина физико-технический институт им. а. ф. иоффе

С. м. рыбкинирдена ленина физико-технический институт им. а. ф. иоффе

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ 348I48

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №.Ч. Кл. Н 01ч 11, 00

Заявлено 23М1.1971 (№ 16793 07, 26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 18.IV.1973. Бюллетень № 19

Дата опубликования описания 19Х11.1973

Комитет ло делом изебретений и открытий лри Совете Министров

СССР

УДК 621.315.55:53 7.312.6с (088.8) Авторы изобретения

H. A. Витовскнй, Г. A. Вихлий, T. В. Машовец и С. М. Рывкнп

Ордена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

Заяв пель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХПРОВОДЯЩЕГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к способу получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводниковых материалов.

Известен способ получения сверхпроводящего материала на основе непромышленных полупроводниковых материалов, например беТе и SrTO .

Цель изобретения — создание способа получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводящих материалов типа А"тВт .

Цель достигается тем, что по предлагаемому способу полупроводниковый материал типа АгпВ, например антимонид индия, шлифуют при температуре не выше 200 К и охлаждают до критической температуры.

Операция шлифовки изменяет физические свойства приповерхностного слоя, а при дальнейшем охлаждешги образца до критической температуры в области объемного заряда возникают вырождения. в результате чего образуется сверхпроводящая структура на поверхности полупроводникового материала.

Предмет изобретения

Способ полу .ения сверхпроводящего мате10 риала пз полупроводникового материала путем его охлаждения до критической температуры, отличаюирася тем, что, с целью получения сверхпроводящего материала пз полупроводникового материала типа АгпВ, обра15 зец из полупроводникового материала типа

А" В охлаждают до температуры не выше

200 К, шлифуют и охлаждают до критической температуры.