Двухвходовая схема "и-или-не
Иллюстрации
Показать всеРеферат
ОПИСАЛИ
ИЗОБРЕТЕНИ
К АВТОР „КОИ (У СИ ДЕТЕЛЬСтЦУ
Союз Советскид
Социалистических
Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 02,07.69 21) 1341672/18-24 с присоединением заявки № (23) Приоритет
Опубликовано 05037S.Бюллетень № 9
Дата опубликования описания 050379 (51) И. Кл.
Н 0З К ie/08
Государственный комитет ссср во делам изобретений и открытий
РЯ) УДК 6 81. ç 2 5. 6 5 (088. 8) (72) Авторы изобретения
Б.М.Мансуров, В. И .. орячеь, В.В. Ильинский, И.Д. Якудев и B. Я. Контарев (71) Заявитель (54 ) ДВУХВХОДОБАЯ СХЕМА И-ИЛИ вЂ” НЕ
Изобретение относится к области вычислительной техники.
Известны двухвходовые схемы И вЂ ИЛИНЕ, содержащие многоэмиттерные транзисторы, двухвходовые элементы И и выходные усилители. Однако в этих схемах для реализации функций И необходимо большое количество многоэмиттерных транзисторов, кроме того, они потребляют много мощности.
Предлагаемая двухвходовая схема
И-ИЛИ-НЕ отличается от известных тем, что вдухвходовые элементы И выполнены на отдельных транзисторах, )5 ба"-ы и эмиттеры которых соединены со входами дзухвходовых элементов И, а коллекторы подключены к эмиттерам многоэмиттерного транзистора, выполняющего функции схемы ИЛИ.
Это упрощает схему и уменьшает потребляемую мощность.
Принципиальная схема предлагаемого двухвходового элемента И-ИЛИ-НЕ приведена на чертеже.
Схема содержит двухвходовые элементы и, выполненные на транзисторах 1,2,3 и 4, многоэмиттерный транзистор 5 выполняющий функции элемента ИЛИ, и выходной усилитель на транзисторах 6,7 и 8.
Двухвходовая схема И-ИЛИ-hF, работает следующим образом.
При совпадении сигналов на входах
И, например, при высоком уровне на входе а и низком уровне на входе
b,,открывается транзистор 1, обеспечивая протекание тока по цепи базазмиттер многоэмиттерного транзистора 5 через цепь коллектор-эмиттер транзистора 1. При этом закрываются транзистор 6 первого каскада выходного усилителя и нижччй транзистор Ь второго каскада выходного усилителя — на выходе схемы появляется высокий уровень напряжения (логический 0, .
При отсутствии совпадений сигналов ча входах схем И (например, высокий уровень на входах b, d, f, n или низкий уровень на входах а, с, е, тв) ток многоэмиттерного транзистора 5 через переход база-коллектор открывает транзистор 6 первого каскада и нижний транзистор 8 второго каскада выходного усилителя — на выходе схемы появляется низкий уровень напряжения (логическая 1 ).
348162! О—
Составитель Д.Гречинский
ТехредК. Гаврон Корректор В.Куприянов
Редактор Т.Колодцева
Заказ 893/60 Тираж 1059 Подписное
ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий
113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Филиал IIIIII Патент, r.Óæãîðoä, ул.Проектная,4
Р
Ъ - - » re -,. . %
Як4лф Формула изобретения
Пвухвходовая схема И-ИЛИ-НЕ, содержащая многоэмитгерный транзистор двухвходовые элементы И и выходной усилитель, отличающийся тем, что, с целью упрощения и уменьшения потребляемой мощности, двухвходовые элементы И выполнены на отдельных транзисторах, базы и эмиттеры которых соединены со входами двухвходовых элементов И, а коллекторы подключены к эмиттерам многоэмиттерного транзистора, выполняющего функции схемы ИЛИ.