Химического никелирования
Иллюстрации
Реферат
CO)03 Ссее70KII)I
Социалистических
Республи)!
ИЗОБРЕТЕН ИЯ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 05.Х.1970 (¹ 1180816/22-1) М. Кл. С 23с !3/02 с присоединением заявки ¹
Приоритет
Комитет па делам изобретений и открытий I при Саеете Сбииистрав Опуоликовано 04.1Х.1972. Бн),1.2!етень ¹ 26
3 Д1; 021.793.3:669.248 (088.8) ! СССР
Дата 011)ол иков а и и я oIIIIc 1 II II )I 1 2.1XX. 1972
Авторы изобретения
А. А. Масалитин и H. К. Саматоеков
Заявитель
РАСТВОР ДЛЯ ХИМИт)ЕСКОГО ИИКЕЛИРОВАНИЯ
П р с д .,1 T и з о б р е т е и и я
Изобретение относится к области ;1анссения покрытий.
Известен раствор для ки,lll÷åñêîão нивелирования, содержащий никель сериокислый, гипофосфит натрия, аммошш клористый, 1121грий уксуснокислый.
Предложенный раствор отличается от известного тем, что в него ввсдены никель )11ористый, кислота сульфоса1ициловая, триэтаноламин и изменением количественного содер- 10
)кания компонентов.
Предложенный раствор содержит, г/,2: никель сернокислый 9 — 12 никель хлористый 9 — 12 г)!по(росгрит и ятри я 22 — 25 15 аммоний клорисгый 46-- 54 натрий уксусиокислый 8 — -12 кислота сульфосалициловая 8 — 12 триэтаноламин 16 — 22 12.2/.2.
Это способствует повышеншо скорости 20 осаждения никеля.
Процесс осаждения ведут прп температуре
96 — 99 С и рН 5,0 — 5,5.
Получгиот блестящие, эластичные покрытий.
При толщине и!)крыги!1 8- -10 .1!к.)2 Ilo))IIcTocTI составляет llc более 1---2 и!)р! 1/с)2.
Скорост1 Осаждеии51 никс 1!! составляеT 35)—
-1О ЛIIC.II/×IIC, Раствор для );имического никелирования, содержащшl шнсель сернокисльlй, и!Пофосфит натрия, аммонии xлористый, натрий уксуснокислый, от.222 тпютц2222с2 тем, что, с целью повышения скорости осаждения никеля, в раствор введены никель xлористый, кислота суп!ьт))осалициловая, триэтаноламин ири следующем
Соде рЖаlll!11 кa)! Г! O»с11ТОВ, 2, 2: никель ссрнокислый 9 — 12 никель хлористым 9 — 12 п1пофосфит натрия 22 — 25
aiIiloIlI!«xлористый 46 — 54 натрий уксусиокислый 8 — 12 кислота сульфосалициловая 8 — 12 триэтаноламин 16 — 22 и!л/л.