Магниторезистивный датчик[плтшис-кtavltoah'

Магниторезистивный датчик[плтшис-кtavltoah'

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Соеетскнз

Социалистически»

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 26.1 т .1971 (№ 1648341/18-10) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет—

Опубликовано 04.1Х.1972. Бюллетень;¹ 26

Дата опубликования описания 05.1.1973

М. Кл. G Olr 33/00

Комитет по делам изобретений и открытиЯ при Совете Министров

СССР

УД К 621.317.44 (088.8) Авторы изобретения

Г. И. Котенко и Е. Г. Пикулев

Ленинградский институт авиационного приборостроения (-- с .,, „з -„.;,з гт

Заявитель

МАГН ИТОРЕЗ ИСТИ В Н Ый ДАТЧ И К

Предмет изобретения

Изобретение относится к области радиотехнических устройств с отрицательным сопротивлением.

Известны магниторезистивные датчики, у которых сопротивление прямо пропорционально напряженности магнитного поля.

Известны также устройства с отрицательным сопротивлением, обусловленным туннельным или поверхностным эффектом.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что для получения отрицательной зависимости его сопротивления от управляющего магнитного поля сопротивление магниторезистора связано с напряженностью (индукцией) магнитного поля обратной зависимостью.

Датчик (см. чертеж) содержит основной многоэлектродный магниторезистор 1, размещенный в постоянном магнитном поле смещения Вс, и несколько в спомогательных магниторезисторов 2, расположенных,в управляющем магнитном поле В,В„ создаваемом катушками 3.

Многоэлектродный магниторезистор 1 представляет собой полупроводниковую пластину.

К торцовым граням пластины присоединены основные электроды, а к боковым — несколько пар управляющих электродов. К каждой паре управляющих электродов подключены двухэлектродные магниторезисторы 2.

При подаче электрического сигнала в катушки 8 магнитное поле этих катушек будет воздействовать на магниторезисторы 2. Это вызовет изменение сопротивления этих ре5 зисторов, что, в свою очередь, вызовет обратное по знаку изменение сопротивления многоэлектродного резистора 1. Таким образом, увеличение напряженности управляющего магнитного поля В,В, вызывает уменьшение

10 сопротивления между основными электродами магниторезистора 1, а уменьшение управляющего поля вызывает увеличение сопротивления основного магниторезистора, т. е. устройство в целом работает как отрицатечь15 ное сопротивление.

Магниторезистивный датчик, содержащий магниторезистор, помещенный в зазоре магнита смещения, от.гичающийся тем, что, с целью получения отрицательной зависимости

25 его сопротивления от управляющего магнитного поля, магниторезистор снабжен несколькими парами дополнительных электродов, к которым подключены вспомогательные магниторезисторы, помещенные в управляющее

З0 магнитное поле.

349961

Составитель И. Васильев

Редактор С. Хейфиц ехред . Х "ф Т Л. Богданова Корректоры Т. Медведева и Е. Зимина

Изд. № 1202 Тираж 406 Подписное

Заказ № 730 оъ. ытий и н Совете Министров СССР

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при

Моаква, Ж-35, Раушокая наб., д. 4/5

Типография № 24 Союзполиграфпрома, Москва, 121019, ул. Маркса — Энгельса, 14