Формирователь импульсовбибл;10.: кл

Формирователь импульсовбибл;10.: кл

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

О П И С А Н И Е 350140

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства М

Заявлено 19.VI ll.1970 (№ 1470776!26-9) с присоединением заявки М

Приоритет

Опубликовано 04.lX.1972. Бюллетень М 26

Дата опубликования описания 14.1Х.1972

М. Кл. Н 03k 1!02

Н 03k 5. 12

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 621.3?3.531(088.8) Авторы изобретения

М. А. Аианян, Е. Б. Алексеев и В. Г. Шульга

Московский ордена Ленина энергетический институт

Заявитель!

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ

Изобретение относится к области наносекундной импульсной техники и может найти применение при формировании импульсов различной формы в системах моделирования и контроля.

Известны формирователи импульсов с независимой регулировкой времени нарастания и спада импульса.

Однако в известных устройствах регулирование длительности импульса не происходит, длительность заднего фронта всегда больше, чем длительность переднего фронта, отсутствует независимая регулировка длительности и крутизны переднего фронта.

С целью независимости регулировки длительности и крутизны переднего и заднего фронтов выходного импульса базы транзисторов ключей подсоединены к выходу инвертора, в общую эмиттерную цепь их включен диод с накоплением заряда, зашунтированный конденсатором переменной емкости, эмиттер транзистора выходного каскада подключен к среднему выводу резистивного делителя, включенного в коллекторную цепь транзистора п — p — n-типа проводимости, параллельно которому включен конденсатор переменной емкости, а база транзистора выходного каскада подключена ко входу формирователя.

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого формирователя импульсов.

Катод диода 1 с накоплением заряда подсоединен к эмиттерам транзисторов 2 и 8 и к конденсаторам 4 и 5. Коллектор транзистора 2 через }резистор б подключен к источнику положительного постоянного напряжения и к конденсатору 5. Базы транзисторов 2 и 8 через делитель на резисторах 7 и 8 подсоединены к источнику отрицательного постоянного напряжения и к разделительному конденсатору 9. Коллектор транзистора 8 через резистор 10 соединен с источником отрицательного постоянного напряжения.

Разделительный конденсатор 9 соединен другим выводом с коллектором транзистора 11, эмиттер которого заземлен, коллектор через резистор 12 соединен с источником отрицательного напряжения, а база через ре20 зистор 18 соединена с источником входных сигналов и непосредственно связана с базой транзистора 14, а через делитель на резисторах 15, 1б — с источником положительного постоянного напряжения. Коллектор транзи25 стора 14 через резистор 17 соединен с источником положительного постоянного напряжения, эмиттер — с конденсатором 18 и с анодом диода 19 с накоплением заряда, катод которого через нагрузочный резистор 20 свя30 зан с общей шиной.

350140

3

В исходном состоянии транзисторы 11 и 2 закрыты, транзистор 8 открыт, и ток, протекающий через, него, накапливает заряд в базе диода 1, малое сопротивление которого закорачивает конденсатор 4.

Напряжение .на конденсаторе 5 равно напряжению,питания транзистора 2. Транзистор 14 открыт, ток, протекающий через него, накапливается в базе диода 19 с накоплением заряда.

Сигнал через инвертор на транзисторе 11 поступает на базы транзисторов 2 и 8, переводит транзистор 3 в состояние отсечки, а транзистор 2 — в состояние насыщения. Транзистор 8 закрывается и через диод 1 с накоплением заряда начинает протекать обратный рассасывающий ток, фронт нарастания этого тока определяется величиной емкости конденсатора 5, при изменении величины емкости фронт нарастания также изменяется и обусловлен частотными свойствами транзистора 2. Амплитуда рассасывающего тока определяется величиной резистора б и напряжением источника питания. Длительность фазы высокой обратной проводимости диода

1 зависит от величин тока прямого смещения, протекающего до поступления входного сигнала и рассасывающего тока, Таким образом, длительность формируемого импульса может плавно и ступенчато регулироваться изменением тока прямого смещения диода, передний фронт импульса изменяется с помощью конденсатора 5 переменной емкости. По окончании фазы высокой обратной проводимости сопротивление диода

1 резко восстанавливается, транзистор 2 запирается, формируется задний фронт импульса. Нижний предел длительности этого фронта определяется временем восстановления обратного сопротивления диода 1. Длительность заднего фронта изменяется с помощью конденсатора 4,переменной емкости, шунтирующего диод 1. Выходной сигнал снимается со среднего вывода резистора б.

Таким образом, изменяя положение среднего вывода переменного сопротивления резистора б в коллекторной цепи транзистора 2, можно плавно и ступенчато регулировать амплитуду сигнала на выходе независимо от регулирования фронтов и длительности, так как сопротивление коллекторной цепи транзистора 2 остается неизменным.

Для исключения влияния процессов перезарядки емкости конденсатора 5 на выходной сигнал, п оследний со ореднего вывода:резистора б через разделительный конденсатор 18 поступает на анод диода 19 с накоплением заряда.

Через диод 19 до поступления входного сигнала протекает ток прямого смещения, так как транзистор 14 находится в состоянии насыщения. Входной сигнал поступает на базу транзистора 14 и переводит его в состояние отсечки. В течение фазы высокой обратной проводим ости диода 19 через него проходит импульс и выделяется на резисторе 20 нагрузки.

При изменении длительности импульса необходимо одновременно с изменением сопротивления резистора 10 менять сопротивление резистора 17, в результате чего весь выходной сигнал проходит через диод 19 с накоплением заряда без искажения.

Предмет изобретения

Формирователь импульсов, содержащий инвертор, ключи, HB транзисторах р — и — р и и — р — и-типа проводимости, выходной каскад на транзисторе, в эмиттерную цепь котор ого последовательно включены диод с .накоплением заряда,и нагрузочный резистор, отличающийся тем, что, с целью обеспечения независимого регулирования длительности и крутизны переднего и заднего фронтов выходного импульса, базы транзисторов ключей подсоединены к выходу инвертора, в общую эмиттерную цепь их включен диод с накоплением заряда, зашунтированный конденсатором переменной емкости, эмиттер транзистора выходного каскада подключен к среднему выводу резистивного делителя, включенного в коллекторную цепь транзистора и — р — и-типа проводимости, параллельно которому включен конденсатор переменной емкости, а база транзистора выходного каскада подключена ко входу формирователя.

350140

Редактор T. Морозова

Заказ 3017/14 Изд. М 1282 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Составитель В. Ефремов

Текред Л. Богданова

Корректоры; Е. Талалаева и С. Сатагулова