Логический элемент «и—или-не»

Логический элемент «и—или-не»

Иллюстрации

Показать все

Реферат

 

ЮС СОК i3;! i-. ДДИ1,. 1;0. :.:, 9 ."

-" áëàîòåê:.; х:.", ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

350176

Саюа Соввтсиих

Социалистических

Рвслублих

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 17.111.1971 (№ 1632850/26-9) М. Кл. H 03k 19108 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам изоаретений и открытир ори Совете Министров

СССР

УДК 621.374.3 (088.8) Опубликовано 04.IX.1972. Бюллетень ¹ 26

Дата опубликования описания 1G.Х.1972

Авторы изобретения

Б. М. Мансуров, В. Г. Ржанов, В. М. Климашин, И. Д. Якушев, В. И. Горячев, A. А. Филиппов и Р. Г. Талибов

Заявитель

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ «И — ИЛИ вЂ” НЕ»

Изобретение относится к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано при разработках интегральных логических схем.

Известны логические элементы «И — ИЛИ—

НЕ», содержащие входные транзисторы, управляемые,по эмиттеру и базе, выходной транзистор и резисторы.

Недостатком известных логических элементов является наличие многоэмиттерного транзистора и большого количества резисторов, что приводит к увеличению габаритов, снижению надежности и быстродействия лопгческого элемента.

С целью повышения надежности и быстродействия логического элемента, а также уменьшения его габаритов в аредлагаемом устройстве базы входных транзисторов соединены с сигнальными шинами через диоды смещения уровня, а коллекторы входных транзисторов соединены с базой выходного транзистора.

Кроме того, параллельно каждому диоду смещения уровня включен дополнительный диод в обратном направлении.

На чертеже дана принципиальная схема предлагаемого логического элемента «И—

ИЛИ вЂ” НЕ».

Логический элемент содержит входные транзисторы 1 и 2, управляемые по эмиттеру и базе, выходной транзистор 8, диоды 4, 5 смещения уровня, дополнительные диоды 6 и 7 и резисторы 8 и 9. Базы входных транзисторов 1 и 2 соединены с сигнальными шинами через диоды 4 и 5 смещения уровня, а коллекторы

5 входных транзисторов соединены с базой выходного транзистора 3. Параллельно диодам

4 и 5 смещения уровня включены дополнительные диоды 6 и 7 соответственно в обратном направлении.

10 Работа логического элемента, выполняющего функцию «И — ИЛИ вЂ” НЕ» Г=аЬ+сс1, когда

«!» высокому уровню, происходит следующим образом.

При отпирании входного транзистора 1, ког15 да а=«!», b «О», уровень U,, „oòêðûòîãî транзистора 1 недостаточен для отпирания выходного транзистора 3, поэтому на выходе логического элемента появлястся высокий уровень — «1». Уровни а>а входах с и d не окажут

20 влияния на уровень выхода логического элемента. Аналогично при с=0 ti d=0 открывается транзистор 2, и на вы;оде логического элемента возникает высокий уровень — «1».

При всех других сочетаниях логических уров25 ней на входах а, b, с, d транзистор 8 открыт, и на выходе логического элемента возникает низкий уровень «О». Диоды 4 и 5 смещения уровня обеспечивают фиксированное значение

«1» — высокого урозня прн работе на на30 грузку в виде аналогичного логического эле350176

Составитель Г. Челей

Техред 3. Тараиеико

Корректоры: В. Петрова и М. Коробова

Редактор T. Морозова

Заказ 3047/10 Изд. № 1284 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, нр. Сапунова, 2 мента. В зависимости от числа выключенных диодов смещения уровня уровень «1» может выбираться в широких пределах, что обеопечивает согласование логического элемента с различными интегральными схемами. К точке

g можно подключить дополнительные схемы

«И», что увеличит число входов логического элемента по «ИЛИ».

Логический элемент может выполнять более сложную логическую функцию F,=ah+dc+ad, если резистор 8, определяющий режим ра боты выходного транзистора 8, подключается к общей шине, а не к источнику питания.

При запирании транзистора 1 по входу а (а=О) заряд его базы. медленно рассасывается через обратный переход диода 4 смещения уровня, что снижает быстродействие логического элемента. Для исключения этого недостатка параллельно каждому диоду смещения уровня в обратном направлении включается дополнительный диод, тогда рассасывание заряда базы происходит через прямой переход дополнительного диода.

5 Предмет изобретения

1. Логический элемент «И — ИЛИ вЂ” HE», содержащий входные транзисторы, у правляемые по эмиттеру и базе, и выходной транзистор, 10 отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, IB нем базы входных тра нзисторов соединены с сигнальными шинами через диоды смещения уровня, а коллекторы входных транзисторов соединены с базой выходного

15 транзистора.

2. Логический элемент по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения быстродействия, параллелыно каждому диоду смещения уровня включен дополнительный диод в об20 ратном направлении.