Ёсесоюзназ ^ •ci^v»i^_yч.y;•!;^•r-•f^l^i:natejiiyu- iij•••"lбибяиотекд
Патент 351476
Авторы
Классы МПК
Ёсесоюзназ ^ •ci^v»i^_yч.y;•!;^•r-•f^l^i:natejiiyu- iij•••"lбибяиотекд
Иллюстрации
Реферат
ОЙИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕН ИЯ к ьвтовскомм свидетильствм
Союз Советскик
Социалистическик
Республик
Зависимое от авт, свидетельства №
Заявлено 11 1.1971 (№ 1606261/26-25) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 21.1Х.1972. Бюллетень ¹ 28
Дата опубликованпя описания 13.Х.1972
М. 1хл. Н Olv 1/18
Комитет AO делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР ДК 621Л62.2 (088.8) Авторы изобретешгя H. B. Коломоец, 3. M. Дашевский, Л. Н. Черноусов, Т. М. Ерусалимская и Л. А. Осипова
Заявитель
БСЕСС1.";-; (= е
ЬИБЯИО 7 ГК.б, СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО
МАТЕРИАЛА
Предмет изобретения
Изобретение относится к области термоэлектрического способа преобразования энергии.
Один из применяемых материалов в термоэлектричестве — ЯЬзТез, который является матрицей твердого раствора для низкотемпер атур ного м атери ал а р-тип а.
Известны р азличные способы получения данного соедш-.ения. Одним из них является синтез соединения Sb>Tea путем прямого сплавления компонент в соотношении, отвечающем стехиометрическому составу. Однако по такому способу получают соединение не стехиометрического состава, а с большим избытком сурьмы. Сурьма, растворяясь в соединении и являясь акцепторной примесью, обусловливает р-тип проводимости с концентрацией 10" — 10" 1/сл, которая превышает оптимальную с точки зрения термоэлектрической эффективности для любого предполагаемого рабочего интервала температур.
Эффективность термоэлектрического матеак б риала определяется параметром Z= †. По /. лученные таким способом соединения ЬЬ2Тез имеют при комнатной температуре следующие параметры: a=80,тткв/град; тт=3000олт — слг ;
Z=1,3 10 — 1/град.
По предлагаемому способу, с целью увеличеши термоэлектрической добротнос ги, на подложку, например, из слюды, подогретую до температуры 150 — 300=С, одним из способов, например испарением в вакууме, направляют
5 пучок атомов либо молекул с превышением содержания теллура над стехиометрическнм составом ЬЬТез до 20 ат. /0. На подложке происходит синтез соед1тнсння Sb>Te>. Избыточный теллур, конденсируясь на подложке, 10 частично растворяется в соединении ЬЬзТез и частично выпадает во вторую фазу.
Для увеличения однородности состава или для получения заданной концентрации носителей полученньш материал подвергают гемо15 генизирующему отжигу в атмосфере аргона (Рл„) 1 атлт) при температуре 150 — 300"C.
Затем проводят кратковремеш|ую (3 — 5 лтM) отгошку непрореагировавшего теллура в вакууме. При этом чем ниже температура отжч20 га из указанного интервала температур, тем ниже равновесная концентрация носителей.
При концентрации носителей 1 — 2.10" 1/слтз в образцах получают максимальную величину термо-э.д.с., равную 200 лткв/град и характе25 ристику добротности Z=1,8 — 1,9 10 — 1/град.
Способ изготовления термоэлектрического
ЗО материала Sb:Тез для р-ветви термоэлементов
351470
Составитель С. Островская
Редактор А. Ватыгин
Техред 3. Тараненко Корректор Т. Гревцова
Заказ 3451/18 Изд. № 1345 Тираж 406 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, К-35, Раушская паб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 путем синтеза с последующим отжигом, отлииаюи(ийся тем, что, с целью увеличения термоэлектрической добротности, исходный материал испаряют, конденсируют на подложке при температуре 150 — 300 С и отжигают в атмосфере аргона при температуре 150 — 300 С, з непрореагировавший теллур испаряют в вакууме.