Патент ссср 352258
Иллюстрации
Реферат
О П И C А Н И Е 352258
ИЗОБРЕТЕНИЯ д
Союз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹
11. 1,л. О 63т 5 06
Заявлено 31.Х.1969 (№ 1373410/28-12) с присоединением заявки №
Приоритет
Ковтитет по делам изобретений и открытий при Совете Мини тров
СССР
Оп1 бг!!1КОвапо 2! .IX,1.,72. L- .:Îë.!с 1снь х >1 777.32(088.8) Дата опубликования описа и!я 11.Х.1972
Авторы изобретения
К. Р. Янсон и E. И. Ц1вейцер
Заявитель
Всесоюзный научно-исследовательский институт комплексных проблем полиграфии
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ I(OHTAKTHЫХ РАСТРОВ
По известному способу изготовления контактных растров на фотографический слой, установленный за проекционным растром, экспонируют фигурную маску, установленную перед проекционным растром и содержащую две группы диафрагм. 1 аждая из групп предназначена для образования на фотослое половины общего количества световых оптических элементов. Затем производят обработку экспонированной пленки, например, с применением фотографического обращения.
Цель изобретения — улучшение качества получаемых растров достигается тем, что фигурную маску перед экспонированием закрывают светофильтром с оптической плотностью от 0,04 до 0,3 так, чтобы во время экспо1шрования свет полностью проходил через одну группу диафрагм и частично задерживался светофильтром при прохождении через другую группу диафрагм.
Сущность способа заключается в следующем.
Вместо объектива фоторепродукциопного аппарата помещают фигурную маску, состоящую из системы отверстий, выполненных в виде систематически расположенных диафрагм. Первая группа диафрагм расположена так, что центр каждой диафраг.пы соответствует центру прозрачно-;à крестообразного проекционного растра, используемого при съев!ке. Вторая группа диафрагм расголожсна так, что центр каждой диафраг. !ы co0THстствуст цс!!тру пересечения непрозрачпr lx;IHIIlIII проекционного растра. Во вре.зя =-. cïoínðoâàl!!",÷ орип1нала-маски в проходятцсм свете через нейтрально-серый светоф;Iëüòð на фотослой, находящийся за проек11понны.,r растром, образуется скрытое изображен!ге 0;1тактного растра, Iгесущее
10 двойную структуру растровых элементов, Oбразоваш!ую от двух групп д.1афрагм. После химико- 0TorpHQHaccl oir обработки образуется впдимос пзображс:шс контактного растра с двойной структурой. Такой растр рекомен15,1уется г!рпменять при изготовлении форм для ролевых офсетных машин, печатающих на бумаге пон !жс!!но; о качества. На оттисках, голу-:енных с этих форм, ли!шатура растра
II cBcT.iHi.i Ii TcAIHbl. 1астках пзображсHH51 II
20 1,41 раза ш1жс, cì в полутонах.
Пример. Фигурную маску из системы круглых диафрагм двух видов диаметром
40 лтлт экспошгровали на фотопленку ФТ-41
25 в течение 40 сок прп освещенности матового стекла кассеты 60 лк. Во время экспонирования I!спольз0валli о пгш!альный проекционный ",H-.отнпный растр с л .HnàòóðoII GOëèí/слт и нейтрально-серый светофильтр с оптической
30 Hëoò,Iocòûo 0,08. Растровое расстояние 5,0 лтлв